王鼎盛  物理学家。中国科学院物理研究所研究员。1940年生于重庆市南川县。1962年毕业于北京大学物理系，1966年中国科学院物理研究所研究生毕业。
主要从事计算物理研究。与他人合作，从密度泛函理论出发，用多重散射方法，计算在非磁材料上的超薄铁磁膜的物理性质，研究了磁性和原子层数的关系，说明并不存在磁性“死层”，并预言在超薄铁磁薄膜中原子的磁矩可以显著大于在体材料中的磁矩，后为实验所证实；发展了磁晶各向异性的理论计算方法，计算结果与实验结果符合较好，提出的有效自旋哈密顿量被同行广泛使用，还发展了高阶交换作用磁体的计算；发展了从第一原理出发对表面吸附层的电子结构的计算，比较严格地处理了电荷转移问题和基底影响问题；开辟了从第一原理出发计算晶体的非线性光学性质的理论，对我国计算材料学的发展做出了贡献。

薛其坤  材料物理专家。中国科学院物理研究所研究员、清华大学教授。1963年12月生于山东蒙阴。1984年毕业于山东大学光学系，1990年、1994年先后获中国科学院物理研究所硕士、博士学位。
长期从事超薄膜材料的制备、表征及其物理性能研究。开展了第二代半导体薄膜GaAs、InAs/GaAs量子阱（点）、宽禁带半导体GaN和ZnO薄膜生长动力学研究, 发展完善了III-V族化合物半导体表面再构的基本规律；开展了半导体Si衬底上金属超薄膜量子尺寸效应的研究，定量建立了金属薄膜体系量子效应和材料性能间内在联系，发现了薄膜热膨胀系数、功函数、超导转变温度等的量子振荡现象；开展了有序纳米结构的自组织生长研究，发明了若干原子尺度精确控制生长技术，解决了异质外延生长纳米有序结构的难题。研制了几套低温生长及原子尺度原位检测装置。 返回小木虫查看更多