低介电损耗聚酰亚胺
纯技术讨论:最近在做一点低高频低介电损耗的聚酰亚胺,10GHz下要求Df≤0.003,有人做过类似的工作吗?希望可以找人一起交流一下,或者大神过来指点一下,单纯从化学结构上来说,我们应该选择什么样的化学结构才更容易制备出低介电损耗的PI呢?目前研究中,多是注重在降低介电常数,如使用含氟的,大侧基,大自由体积,甚至造孔或者填料共混,有没有可能单纯从化学结构上改性,做出来低Df的PI呢?
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纯技术讨论:最近在做一点低高频低介电损耗的聚酰亚胺,10GHz下要求Df≤0.003,有人做过类似的工作吗?希望可以找人一起交流一下,或者大神过来指点一下,单纯从化学结构上来说,我们应该选择什么样的化学结构才更容易制备出低介电损耗的PI呢?目前研究中,多是注重在降低介电常数,如使用含氟的,大侧基,大自由体积,甚至造孔或者填料共混,有没有可能单纯从化学结构上改性,做出来低Df的PI呢?
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你列举的条件都有可能实现低介电低损耗,聚酰亚胺大多数的配方接电损耗都不高,问题是实际制备过程中分子量、溶剂及金属离子残留、吸水亚胺键回到聚酰胺酸都会提升介电常数和损耗,因此配方选择只是一个方面,原料纯化、工艺控制是关键,也是最大的难点
分子量,金属离子含量等应该影响比较大,最终如果能够完全变成酰亚胺,如不是强碱性环境,应该很难再水解得到聚酰胺酸的状态吧,个人觉得,高频状态下,介电损耗与PI的化学结构关系还是蛮大的,不知道对不对
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吸水很厉害的,含氟PI稍好,对介电影响很大
PI吸水后DK和Df确实会大幅度增加,使用含氟结构的单体,会很大程度降低材料的吸水率,Dk和Df吸水前后的介电性能差异相对会小一些,但对于未吸水的PI如果能够做到10GHz下的Df小于0.003,目前对国内来说,难度还是比较高的。
目前我用聚烯烃做,强粘接性且介电损耗可以做到0.002以下!