气敏中,半导体异质结的解释
交叉学科涉及了半导体相关的内容,制备的材料为ZnO/MoS2的核壳异质结构,探究对丙酮的气敏性能。
文献上写由于ZnO的功函数小于MoS2,当两种材料接触时,电子会从ZnO转移到MoS2,并在ZnO和MoS2的界面上形成n-p异质结。一边产生电子耗尽层,一边产生电子积累层。这会导致材料在空气中的阻值进一步变高,响应增强。
请问是因为ZnO产生了电子耗尽层而使得阻值升高么?这样的话,那MoS2的界面上还产生了电子积累层,这不会使阻值降低么?还是说是因为主要的电子传输路径是在ZnO层上,所以以ZnO阻值变化为基准?
还有个问题是,文献写道“当通入丙酮时,ZnO表面电子浓度增加,MoS2表面空穴浓度降低”是因为丙酮会与材料表面的化学吸附氧反应,把吸附氧捕获的电子释放回材料,让电子浓度增加,并间接的让空穴的浓度降低么?
谢谢大佬们了
图片为啥传不上.... 返回小木虫查看更多
今日热帖
请问 你们是通过旋涂还是滴涂成膜? 你们是怎么成膜的? 成膜的样子是怎样的? 求交流,