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气敏中，半导体异质结的解释
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交叉学科涉及了半导体相关的内容，制备的材料为ZnO/MoS2的核壳异质结构，探究对丙酮的气敏性能。 文献上写由于ZnO的功函数小于MoS2，当两种材料接触时，电子会从ZnO转移到MoS2，并在ZnO和MoS2的界面上形成n-p异质结。一边产生电子耗尽层，一边产生电子积累层。这会导致材料在空气中的阻值进一步变高，响应增强。 请问是因为ZnO产生了电子耗尽层而使得阻值升高么？这样的话，那MoS2的界面上还产生了电子积累层，这不会使阻值降低么？还是说是因为主要的电子传输路径是在ZnO层上，所以以ZnO阻值变化为基准？ 还有个问题是，文献写道“当通入丙酮时，ZnO表面电子浓度增加，MoS2表面空穴浓度降低”是因为丙酮会与材料表面的化学吸附氧反应，把吸附氧捕获的电子释放回材料，让电子浓度增加，并间接的让空穴的浓度降低么？ 谢谢大佬们了 图片为啥传不上.... |
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