请教晶粒生长机制中,晶格扩散、晶界扩散、晶界迁移各自意思及相互区别和联系,谢谢?个人理解应该有些机制对主要控制晶粒生长,有些机制主要控制致密化,如果想得到致密化,晶粒不粗化的陶瓷材料应该控制那些机制,发挥那些机制? 返回小木虫查看更多
晶粒生长和致密化既相互促进,又相互抑制,哪一种占主导地位要看具体的体系。一般来说,晶格扩散和晶界扩散促进致密化,晶界迁移促进晶粒生长。
方法很多,比如可以通过引入第二相来抑制晶界迁移,减小粉体粒径,增加粉体的缺陷,引入液相等促进晶格扩散和晶界扩散。晶格扩散和晶界扩散是按扩散通道主要在晶粒内部还是在晶界处来区分。
大家继续探讨!
不同体系中控制晶界迁移的物质可能不同,比如原先YAG中多用TEOS,分解成液相氧化硅;原来很早的是用LiF在晶界形成液相抑制晶界迁移等,这些具体物质你可以查相应的文献的。 抑制晶界迁移的主要目的是使得气孔的迁移速度能够跟上晶界扩散的速度,如果是晶界迁移占主导,那气孔就很难被排出去
晶粒生长和致密化既相互促进,又相互抑制,哪一种占主导地位要看具体的体系。一般来说,晶格扩散和晶界扩散促进致密化,晶界迁移促进晶粒生长。
谢谢您的解答,那请问如何控制晶界迁移,促进晶格扩散和晶界扩散呢?另晶格扩散和晶界扩散的区别是什么呢?谢谢。
方法很多,比如可以通过引入第二相来抑制晶界迁移,减小粉体粒径,增加粉体的缺陷,引入液相等促进晶格扩散和晶界扩散。晶格扩散和晶界扩散是按扩散通道主要在晶粒内部还是在晶界处来区分。
谢谢指教,如何实现增加粉体的缺陷,为何及那些第二相可以抑制晶界迁移?关于两段法烧结中高温应该是同时促进晶界迁移、晶界扩散和晶格扩散,低温应该主要就是促进晶界扩散和晶格扩散,而抑制晶界迁移,可以这样理解吗
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不同体系中控制晶界迁移的物质可能不同,比如原先YAG中多用TEOS,分解成液相氧化硅;原来很早的是用LiF在晶界形成液相抑制晶界迁移等,这些具体物质你可以查相应的文献的。
抑制晶界迁移的主要目的是使得气孔的迁移速度能够跟上晶界扩散的速度,如果是晶界迁移占主导,那气孔就很难被排出去
谢谢您的解答,想请问一下晶界迁移和晶界扩散的区别是什么呢?谢谢。