由于绝缘基片上的自偏压不便于测量,在研究中,大多采用射频电极上的偏压来代替绝缘基片表面的实际自偏压.

自偏压的形成是在RF电场中，电子的速度大大大于离子的速度，导致电子在电极积累，使电极电势低于plasma的电势。

自偏压与RF的功率，频率以及Chamber的压强都有关系。

离子轰击与自偏压有着密切的关系。我不知道你的实验是什么内容，一般来说，在薄膜沉积的过程中，自偏压的大小可能会影响薄膜的应力，具体的你可以查一些文献。除此外，一般薄膜沉积的过程中，不太考虑自偏压。刻蚀的过程，自偏压倒是比较重要的参数，

在等离子体中，放入其中的金属上会产生壳层，这样离子和电子向金属运动，因为电子的速度始终比离子的速度快，这样在金属的表面电子老是比离子多，就产生里带负电的自偏压。

自偏压和气体 气压 及溅射功率和反溅射功率有关