求助半导体带隙计算的高手!
做纳米材料尤其是半导体材料的形态控制合成.在论文中,常常涉及到晶体结构尤其是在材料设计时,如果能够知道材料的能带结构,从理论上进行指导,对材料的合成有很大的指导意义.
从网络上知道做相关的计算的.查资料,看见有的作者是利用TB-LMTO,利用第一性原理计算得到的.目的是获得材料的能带结构和态密度.不知道那未朋友做过相关工作没有?能不能做相应的计算?计算有那些步骤?需要那些程序?如果不麻烦的话,希望给予指导!
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做纳米材料尤其是半导体材料的形态控制合成.在论文中,常常涉及到晶体结构尤其是在材料设计时,如果能够知道材料的能带结构,从理论上进行指导,对材料的合成有很大的指导意义.
从网络上知道做相关的计算的.查资料,看见有的作者是利用TB-LMTO,利用第一性原理计算得到的.目的是获得材料的能带结构和态密度.不知道那未朋友做过相关工作没有?能不能做相应的计算?计算有那些步骤?需要那些程序?如果不麻烦的话,希望给予指导!
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没有用过别的,你怎么知道别的不好?
所有的计算都是先建立好晶体模型,要不如何计算呢?
做能带和态密度是最简单的东西,很快,而且很容易分析
如果这些都不会的话。。。。
,
师兄都是用CASTEP
milans7说的很清楚