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求助半导体带隙计算的高手!

作者 nanopony
来源: 小木虫 500 10 举报帖子
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做纳米材料尤其是半导体材料的形态控制合成.在论文中,常常涉及到晶体结构尤其是在材料设计时,如果能够知道材料的能带结构,从理论上进行指导,对材料的合成有很大的指导意义.
     从网络上知道做相关的计算的.查资料,看见有的作者是利用TB-LMTO,利用第一性原理计算得到的.目的是获得材料的能带结构和态密度.不知道那未朋友做过相关工作没有?能不能做相应的计算?计算有那些步骤?需要那些程序?如果不麻烦的话,希望给予指导! 返回小木虫查看更多

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  • 精华评论
  • y1ding

    可以用pwscf计算

  • lxjim

    论坛上讨论得很多,用MS的Castep模块就可以,操作很简单,只是需要进行晶体结构构建,其能带结构和态密度等就可以通过后台计算。

  • milans7

    这些软件都可以计算的,但是精确的程度是不同的,这些和计算的方法原理有关系
    最好用abinit这个计算的最为精确

  • wpq

    有没有详细些的介绍?

  • milans7

    具体的计算软件有castep,pwscf,vasp,wien2k,和abinit
    其中前4个是基于密度泛涵的理论,最后一个是基于格临函数
    前三个是赝势的方法,第四个是全势方法。由于密度泛涵理论本身的限制,他们都要低估带隙,20-50%,当然也和你选取的近似有关系

    最后一个比较精确的计算band gap,具体的方法我还不是很清楚,正在学习之中。。。

    这个东西有很多的地方都有介绍的

    ps:这些都是对于晶体来进行计算的,其他的比如薄膜也可以,但是不是很理想,

  • SHY31

    material stidio 应该是最好的吧,用castep,只要建立好晶体模型,但是计算得时间会很长的,而且得出的结果也不好分析!华南理工大学有这么课学的.我也正在摸索中.混混饭吃 而已

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