紫外可见光谱 计算带隙问题 请教大家
最近这个直接带隙和间接带隙的问题真的给我搞懵了,暂且先拿这篇文献中的问题请教一下大家
使用Tauc方程计算带隙: 方程式在下面附图中显示
文献中说:对于n的取值:(CuS为1,g-C3N4为4),直接带隙半导体和间接带隙半导体的n值分别为1和4 。
这意思就是说g-C3N4是间接带隙 然后n=4 ,也就是公式指数为 4/2=2 , 然后我发现在Tacu图中,g-C3N4对应的图的纵坐标显示的指数却是1/2,是画错了还是我理解出现偏差了,这个问题我在另一篇文献中也看到了。
而且对于直接带隙和间接带隙n的取值问题,我至今没弄清楚,有的文献说的正好反过来,希望大家可以指点一下。
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