如何在半导体材料里实现有效掺杂？
求助论坛里的各位大佬，如何在半导体材料里实现有效掺杂呢？掺了很多种元素，最好的效果也只是掺杂浓度上去了，但迁移率和少子寿命都降低了，器件性能也变差了。做的是太阳能电池方向，再做不出来真的是要毕不了业了
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你测霍尔系数了？？
很多牛逼的掺杂是模拟计算出来的。。。建议看看关于计算的文章，我们通常的梯度掺杂着很是Low,也发不了好文章
是的，测过了
能推荐一下相关文献吗
，
做量子点的话，还是很好掺的。但是你们做器件应该是涂膜，这个不是很清楚