VASP计算异质结构优化问题
初学者求助，在MS建立好模型之后，导入VASP开始进行第一步计算优化的时候会出现“Information=wavefunction orthogonal band”后面是数字。想问下这个算是优化时出现的错误吗？我修改了几次INCAR还是有这个问题。优化INCAR如下：
SYSTEM=W-Se2-C
ISTART=0;ICHARG=2
ISMEAR=0;SIGMA=0.01
ENCUT=550
IBRION=0
ISIF=2
POTIM=0.2
LREAL=Auto
ALGO=F
EDIFF=0.0000001;EDIFFG=-0.001
PREC=Accurate
NSW=100
NELM=60
SYMPREC=0.001
我算的是WSe2/Graphene的异质结构，Sample Text求教
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京公网安备 11010802022153号
后面问题没录上。就是算这个异质结构的INCAR对不对？后面算SCF、BAND、DOS时的INCAR与不是异质结的INCAR有没有区别，求助！
不同的体系主要是ISMEAR有区别，你可以网上搜搜具体的选值，后面算带隙啥的参数是有变化的，计算出现警告不一定出错，只要不报错停止就行
谢谢您，我看了手册ISMEAR应该取值-5，ISNEAR的取值和KPOINT也有关系，我这里的KPOINTS已经大于4了，而且对于半导体来说这个值都取-5.
手册哪里找呢
两个都是半导体或者绝缘体的话，ISMEAR不大于0就好。
ISMEAR=-5用来做结构优化有点奢侈，除非你结构偏离的不远，40步以内能优化到的结构。
你的supercell有多大？特别大的，半导体，结构优化用ISMEAR=0或者-1就好。
你这是初始优化吧，条件设的太紧了：
1. ISMEAR=0配合 SIGMA=0.05就够了，0.01是不是太小了？
2. EDIFF=1E-7,太小了，这个只是控制SCF loop的，你需要那么准的能量吗？1E-4或者1E-5都是不错的选择，毕竟初始优化，没必要那么紧。
3. 同理，EDIFFG=-0.001太小了，原子上的力小于0.001 eV/atom才结束离子步（优化）。一般计算的文献上也就是用0.01，你用小了十分之一，很容易优化跑的不停了，几百步的。。。 If EDIFFG is negative it has a different meaning: In this case the relaxation will stop if all forces are smaller than |EDIFFG| . 当我优化的初始结构比较糟糕，离真实较远的时候，EDIFFG=-0.02都是很正常的。Heterojunction这种东西初始画的应该都比较差吧。
4. ENCUT=550 eV，是懒得做收敛测试了吧。。。
5. POTIM=0.2是经验吗，其实默认的0.5没有那么差的，你的结构不合理的话，这个值大一点有助于优化的吧？
6. ALGO=F，这个我比较害怕，因为RMM经常导致我的SCF不收敛，在一个能量处上下震荡，无法确定费米面附近的电子的正确占据。我一般ALGO=N，默认值，DAV表现稳定一些。ALGO=F就是前5步DAV后面全是RMM。
7. IBRION=0，意思是用MD来优化结构？我不是懂这个意图。
8. SYMPREC=0.001？Description: SYMPREC determines to which accuracy the positions in the POSCAR file must be specified (as of VASP.4.4.4). 默认是1e-5，没必要改大了吧，还是有什么特殊需求，
打错了单位，EDIFFG=-0.001 ev/Angstrom