H2-TPD能用来进行计算金属分散度吗？
大家好，我做的催化剂是钴基催化剂用于合成气制低碳醇。我用H2-TPD进行计算金属的分散度。审稿意见回来是这样的： I wonder if we can
calculate dispersion by H2- TPD? Because the amounts of H2 derived form TPD is not equal to the irreversible adsorption amounts of H2.
因为我也不太懂H2-TPD和氢气化学吸附的区别？难道用氢气TPD算金属分散度不对吗？想请大家帮忙，怎么回这个审稿意见。顺便想学习一下，氢气脉冲吸附与氢气TPD的区别。谢谢大家了。
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京公网安备 11010802022153号
前几天有过一个帖子，有人专门做过对比。
http://muchong.com/t-11711445-1
审稿人的意见是对的，用TPD法做分散度很不科学，扩散和再吸附都会影响结果。RSC advances上有一篇用TPD法测Ni分散度的文章，我跟作者讨论过这个方法，针对Ni分散度的TPD法，最近刚有一篇文章讨论过的。
H2脉冲计算分散度
恩，我知道用H2-TPD测钴的分散度不准。毕竟每种测试手段都有误差。但是审稿人的意见我觉得是：他觉得我的H2-TPD测得结果既包含可逆吸附和不可逆吸附，而他认为只有拿不可逆吸附算出来的分散度才是准确的。我们知道对于钴基催化剂，一般氢气脱附峰在200度左右，文献都这么说我测出来的也是。我们认为可逆吸附一般是物理吸附，所以在低温。而不可逆吸附一般是化学吸附是高温。所以我想知道Co的氢气的脱附峰一般是可逆还是？怎么解决审稿人这个可逆与不可逆。这个问题困扰了好长时间了，找文献也找不到
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恩，我知道用H2-TPD测钴的分散度不准。毕竟每种测试手段都有误差。但是审稿人的意见我觉得是：他觉得我的H2-TPD测得结果既包含可逆吸附和不可逆吸附，而他认为只有拿不可逆吸附算出来的分散度才是准确的。我们知道对于钴基催化剂，一般氢气脱附峰在200度左右，文献都这么说我测出来的也是。我们认为可逆吸附一般是物理吸附，所以在低温。而不可逆吸附一般是化学吸附是高温。所以我想知道Co的氢气的脱附峰一般是可逆还是？怎么解决审稿人这个可逆与不可逆。这个问题困扰了好长时间了，找文献也找不到。