能带计算和态密度不符合
各位好！！求助一个问题：
对于一个吸附结构，我在充分弛豫和静态计算后，进行了态密度和能带结构的计算，经过收敛性测试，k点也选的足够。
接着出现了一个问题：
我画出了DOS图和bandstructure图，其中，能带图中带隙不为零，显示为半导体；而态密度图中费米能级处有电子态出现，显示为导体，这种不匹配的情况该怎么解释？
另外，我将态密度计算中的vaspxml文件导入p4vasp中，画出的态密度图和能带结构图也存在上述问题，明明是同一个文件，做出来的图为什么不匹配？。。这说明并不是能带计算或者态密度计算错误引起的问题，这种情况该怎么解释？求助各位有经验的大神指点一二！
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京公网安备 11010802022153号
仔细检查能带的高对称K点有没有取对。
你好，我是在material studios中取的高对称点，没问题的。
那请问一下，要怎么才能查看选取的高对称点是否准确呢？
吸附结构如果是2D的系统，MS默认给出的高对称点是有点问题，MS是按照3D系统的对称性来给出path的，而没办法正确识别2D对称性
，
多谢哈，那请问怎么样才能正确识别2D体系的K路径呢？
没辙，手工设置，但有些γ=90°的体系直接把Kz≠0的高对称点去掉就行。