关于加U的问题
现在在算一个二元半导体,之前是边优化边计算的时候直接+U,在GGA下的不同算法加8ev左右就可以达到实验值带隙。加在了过渡族元素的P轨道,因为加在d轨道不如加在p轨道明显。后来先优化再+U计算时,需要加到10以上的U值才可以,加在了相同的轨道。好像U值加的过大容易影响准确性,有没有遇到过相同情况的,帮忙解答下。因为这个体系对比文献太少,不知对于加U值得考虑是什么,为什么前后差别这么大,求解。 返回小木虫查看更多
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现在在算一个二元半导体,之前是边优化边计算的时候直接+U,在GGA下的不同算法加8ev左右就可以达到实验值带隙。加在了过渡族元素的P轨道,因为加在d轨道不如加在p轨道明显。后来先优化再+U计算时,需要加到10以上的U值才可以,加在了相同的轨道。好像U值加的过大容易影响准确性,有没有遇到过相同情况的,帮忙解答下。因为这个体系对比文献太少,不知对于加U值得考虑是什么,为什么前后差别这么大,求解。 返回小木虫查看更多
+U一般是加在f轨道上的吧,p轨道需要修正吗?
http://muchong.com/bbs/viewthread.php?tid=5237955
Cd没有f轨道,然后加在d轨道上反应不大,不知道是不是d满轨道的原因。加在p轨道上效果比在d轨道上明显,但是先优化后算性质的时候所加的U值明显比边优化边计算的大很多,怀疑其可靠性。
这个是VASP算的,我用MS算的,应该是不同的。
+U,个人建议加到价带顶和导带底所涉及的轨道上。比如TiO2,作为点荷转移绝缘体,推荐给O2p和Ti-3d同时+U,因为O-2p主要构成价带顶,Ti-3d主要构成导带底。而对于mott型绝缘体,你即使给O-2p+U,由于其远离带隙,实际是没有修正作用的。
我算的时CdSe,加U也是感觉态密度来判断的。下面是态密度图,但是Cd作为过渡族元素把U加在P轨道有点疑惑,还有就是先优化再计算之后U值的添加需要增加很多,不知是否合理。
QQ截图20170525103608.png
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