P型在价带里存在空穴，相当于价带顶下降，禁带宽度拉宽，所以P型禁带宽度大，n型小。
迁移率带隙的概念我还是第一次听说，悉听大家分解！
从电池结构设计的角度讲，PIN三层需要提高太阳光的利用率，我的看法是n型的光学带隙要尽量小，以充分利用长波光。是否正确还请大家指教！

掺杂只会改变费米能级的位置，如果是少量掺杂，带隙不怎么改变吧。如果重掺杂发生载流子简并，得考虑带尾态和moss-burstein移动的影响。

P或者N型掺杂是费米能级移动，不是价带顶移动，这个是基本的半导体概念，不要误导别人。

P和N的微晶硅材料的光学带隙应该一样，没有碳掺杂情况下。
迁移率带隙就需要看各自材料的缺陷态的高低了。