当前位置: 首页 > 催化 >金属催化剂及其催化剂作用机理

金属催化剂及其催化剂作用机理

作者 蓝色火焰
来源: 小木虫 200 4 举报帖子
+关注

金属催化剂及其催化剂作用机理
1.        金属催化剂概述
金属催化剂是一类重要的工业催化剂。主要包括块状催化剂,如电解银催化剂、融铁催化剂、铂网催化剂等;分散或者负载型的金属催化剂,如Pt-Re/-Al2O3重整催化剂,Ni/Al2O3加氢催化剂等;
金属催化剂及其催化剂作用机理
    金属互化物催化剂,如LaNi5可催化合成气转化为烃,是70年代开发的一类新型催化剂,也是磁性材料、储氢材料;金属簇状物催化剂,如烯烃氢醛化制羰基化合物的多核Fe3(CO)12催化剂,至少要有两个以上的金属原子,以满足催化剂活化引发所必需。这5类金属催化剂中,前两类是主要的,后三类在20世纪70年代以来有新的发展。
    几乎所有的金属催化剂都是过渡金属,这与金属的结构、表面化学键有关。金属适合于作哪种类型的催化剂,要看其对反应物的相容性。发生催化反应时,催化剂与反应物要相互作用。除表面外,不深入到体内,此即相容性。如过渡金属是很好的加氢、脱氢催化剂,因为H2很容易在其表面吸附,反应不进行到表层以下。但只有“贵金属”(Pd、Pt,也有Ag)可作氧化反应催化剂,因为它们在相应温度下能抗拒氧化。故对金属催化剂的深入认识,要了解其吸附性能和化学键特性。

2.金属和金属表面的化学键
    研究金属化学键的理论方法有三:能带理论、价键理论和配位场理论,各自从不同的角度来说明金属化学键的特征,每一种理论都提供了一些有用的概念。三种理论,都可用特定的参量与金属的化学吸附和催化性能相关联,它们是相辅相成的。
(1)金属电子结构的能带模型和“d带空穴”概念
    金属晶格中每一个电子占用一个“金属轨道”。每个轨道在金属晶体场内有自己的能级。由于有N个轨道,且N很大,因此这些能级是连续的。由于轨道相互作用,能级一分为二,故N个金属轨道会形成2N个能级。电子占用能级时遵从能量最低原则和Pauli原则(即电子配对占用)。故在绝对零度下,电子成对从最低能级开始一直向上填充,只有一半的能级有电子,称为满带,能级高的一半能级没有电子,叫空带。空带和满带的分界处,即电子占用的最高能级称为费米(Fermi)能级。
    s轨道形成s带,d轨道组成d带,s带和d带之间有交迭。这种情况对于过渡金属特别如此,也十分重要。 s能级为单重态,只能容纳2个电子;d能级为5重简并态,可以容纳10个电子。如铜的电子组态为[Cu](3d10)(4s1),故金属铜中d带电子是充满的,为满带;而s带只占用一半。镍原子的电子组态为[Ni] (3d5)(4s2),故金属镍的d带中某些能级未被充满,称为“d带空穴”。“d带空穴”的概念对于理解过渡金属的化学吸附和催化作用是至关重要的,因为一个能带电子全充满时,它就难于成键了。
(2)价键模型和d特性百分数(d%)的概念
    价键理论认为,过渡金属原子以杂化轨道相结合。杂化轨道通常为s、p、d等原子轨道的线性组合,称之为spd或dsp杂化。杂化轨道中d原子轨道所占的百分数称为d特性百分数,用符号d%表示。它是价键理论用以关联金属催化活性和其他物性的一个特性参数。
    金属d%越大,相应的d能带中的电子填充越多,d空穴就越少。d%和d空穴是从不同角度反映金属电子结构的参量,且是相反的电子结构表征。它们分别与金属催化剂的化学吸附和催化活性有某种关联。就广为应用的金属加氢催化剂来说,d%在40~50%为宜。
(3) 配位场模型
    借用络合物化学中键合处理的配位场概念。在孤立的金属原子中,5个d轨道能级简并,引入面心立方的正八面体对称配位场后,简并能级发生分裂,分成t2g轨道和eg轨道。前者包括dxy、dxz和dyz,后者包括和。d能带以类似的形式在配位场中分裂成t2g能带和eg能带。eg能带高,t2g能带低。
    因为它们具有空间指向性,所以表面金属原子的成键具有明显的定域性。这些轨道以不同的角度与表面相交,这种差别会影响到轨道健合的有效性。用这种模型,原则上可以解释金属表面的化学吸附。不仅如此,它还能解释不同晶面之间化学活性的差别;不同金属间的模式差别和合金效应。如吸附热随覆盖度增加而下降,最满意的解释是吸附位的非均一性,这与定域键合模型的观点一致。Fe催化剂的不同晶面对NH3合成的活性不同,如以[110]晶面的活性为1,则[100]晶面的活性为它的21倍;而[111]晶面的活性更高,为它的440倍。这已为实验所证实。

3金属的体相结构、表面结构、晶格缺陷与位错
(1)金属的体相结构
   除少数金属外,几乎所有的金属都分属于三种晶体结构,即面心立方晶格(F.C.C.),体心立方晶格(B.C.C.)和六方密堆晶格(H.C.P.)。三种晶格的一些结构参数列于表6.3.1
    晶体可以理解成不同的晶面。例如金属Fe的体心立方晶格,有(100)、(110)、(111)晶面。不同晶面上金属原子的几何排布是不相同的,原子间距也是不相等的,见图6.3.1和图6.3.2。
(2)金属的表面结构
    表面上的原子排列与体相的相近,原子间距也大致相等。由于紧密堆积在热力学上最为有利,暴露于表面上的金属原子,往往形成晶面指数低的面,即表面晶胞结构为(1×1)的低指数面热力学才是稳定结构。
    金属表面暴露在气氛中,总会发生吸附现象。在大多数情况下,表面上总是覆盖上接近吸附层的吸附质。若气体分子与表面原子是一对一的吸附,则吸附质的排列与底层结构相同,其它吸附层在表面的排列还有更复杂的结构。
(3)晶格缺陷
    一个真实的晶体总有一种或多种结构上的缺陷。晶格缺陷主要有点缺陷和线缺陷,此外还有面缺陷。内部缺陷的存在将会引起晶格的畸变,还会引起附加能级的出现。
    点缺陷:又可进一步区分为Schottky缺陷和Frenkel缺陷两种。前者是指一个金属原子缺位,原来的金属原子迁移到表面上去了;后者是由一个原子缺位和一个间隙原子组成。
    位错:位错即线缺陷,涉及一条原子线的偏离;当原子面在相互滑动过程中,已滑动与未滑动区域之间必然有一分界线,这条线就是位错。位错有两种基本类型,即边位错和螺旋位错。边位错是两个原子面的相对平移,结果是在一个完整的晶格上附加了半个原子面。边位错线上的每个格子点(分子、原子或离子),面对一个间隙,取代了邻近的格子点。杂质原子就易于在此间隙处富集。
    螺旋位错有一螺旋轴,它与位错线相平行,它是由于晶体割裂过程中的剪切力造成的。如此一来,晶体中原来彼此平行的晶面变得参差不齐,好象一个螺旋体。真实晶体中出现的位错,多是上述两类位错的混合体,并趋向于形成环的形式。一种多物质常由许多种微晶、且以不同的取向组合而成,组合的界面就是位错。
    堆垛层错与颗粒边界:堆垛层错又叫面位错,是由于晶位的错配和误位所造成。对于一个面心立方的理想晶格,其晶面就为ABC ABC ABC的顺序排列。如果其中少一个A面,或多一个A面,或多半个A面从而造成面位错。对于六方密堆晶格,理想排列为AB AB AB顺序,可能因缺面而造成堆垛层错。任何实际晶体,常由多块小晶粒拼嵌而成。小晶粒中部的格子是完整的,而界区则是非规则的。边缘区原子排列不规则,故颗粒边界常构成面缺陷。
(4)晶格的不规整性与多相催化中的补偿效应和“超活性”
    晶格缺陷与位错都造成了晶格的多种不规整性。晶体的不规整性对金属表面的化学吸附、催化活性、电导作用和传递过程等,起着极为重要的作用。晶格的不规整性往往与催化活性中心密切相关。至少有两点理由可以确信,晶格不规整性关联到表面催化的活性中心。其一是显现位错处和表面点缺陷区,催化剂原子的几何排列与表面其他部分不同,而表面原子间距结合立体化学特性,对决定催化活性是重要的因素;边位错和螺旋位错有利于催化化反应的进行。其二是晶格不规整处的电子因素促使有更高的催化活性,因为与位错和缺陷相联系的表面点,能够发生固体电子性能的修饰。
位错作用与补偿效应
    补偿效应(The compensation effect)是多相催化中普遍存在的现象。在多相催化反应的速率方程中,随着指前因子A的增加,总是伴随活化能E的增加,这就是补偿效应。对于补偿效应的合理解释,其原因来源于位错和缺陷的综合结果,点缺陷的增加,更主要是位错作用承担了表面催化活性中心。
点缺陷与金属的“超活性”
    金属丝催化剂,在高温下的催化活性,与其发生急剧闪蒸后有明显的差别。急剧闪蒸前显正常的催化活性,高温闪蒸后,Cu、Ni等金属丝催化剂显出“超活性”,约以105倍增加。这是因为,高温闪蒸后,金属丝表面形成高度非平衡的点缺陷浓度,这对产生催化的“超活性”十分重要。如果此时将它冷却加工,就会导致空位的扩散和表面原子的迅速迁移,导致“超活性”的急剧消失。

4 金属催化剂催化活性的经验规则
(1)d带空穴与催化剂活性
金属能带模型提供了d带空穴概念,并将它与催化活性关联起来。d空穴越多,d能带中未占用的d电子或空轨道越多,磁化率会越大。磁化率与金属催化活性有一定关系,随金属和合金的结构以及负载情况而不同。从催化反应的角度看,d带空穴的存在,使之有从外界接受电子和吸附物种并与之成键的能力。但也不是d带空穴越多,其催化活性就越大。因为过多可能造成吸附太强,不利于催化反应。
    例如,Ni催化苯加氢制环己烷,催化活性很高。Ni的d带空穴为0.6(与磁矩对应的数值,不是与电子对应的数值)。若用Ni-Cu合金则催化活性明显下降,因为Cu的d带空穴为零,形成合金时d电子从Cu流向Ni,使Ni的d空穴减少,造成加氢活性下降。又如Ni催化氢化苯乙烯制备乙苯,有较好的催化活性。如用Ni-Fe合金代替金属Ni,加氢活性下降。但Fe是d空穴较多的金属,为2.2。形成合金时,d电子从Ni流向Fe,增加Ni的d带空穴。这说明d带空穴不是越多越好。
(2)d%与催化活性
金属的价键模型提供了d%的概念。d%与金属催化活性的关系,实验研究得出,各种不同金属催化同位素(H2和D2)交换反应的速率常数,与对应的d%有较好的线性关系。但尽管如此,d%主要是一个经验参量。
    d%不仅以电子因素关系金属催化剂的活性,而且还可以控制原子间距或格子空间的几何因素去关联。因为金属晶格的单键原子半径与d%有直接的关系,电子因素不仅影响到原子间距,还会影响到其他性质。一般d%可用于解释多晶催化剂的活性大小,而不能说明不同晶面上的活性差别。
(3)晶格间距与催化活性——多位理论
晶格间距对于了解金属催化活性有一定的重要性。不同的晶面取向,具有不同的原子间距。不同的晶格结构,有不同的晶格参数。实验发现,用不同的金属膜催化乙烯加氢,其催化活性与晶格间距有一定关系。Fe、Ta、W等体心晶格金属,取[110]面的原子间距作晶格参数。活性最高的金属为Rh,其晶格间距为0.375nm。这种结果与以d%表达的结果除W外都完全一致。
    多位理论的中心思想是:一个催化剂的活性,在很大程度上取决于存在有正确的原子空间群晶格,以便聚集反应物分子和产物分子。多位理论是由前苏联科学家巴兰金提出的,对于解释某些金属催化剂加氢和脱氢的反应有较好的效果。以苯加氢和环己烷脱氢为例,只有原子的排列呈六角形,且原子间距为(0.24~0.28)nm的金属才有催化活性,Pt、Pd、Ni金属符合这种要求,是良好的催化剂,而Fe、Th、Ca就不是。
    应当指出的是,晶格间距表达的只是催化剂体系所需要的某种几何参数而已,反映的是静态过程。现代表面技术的研究表明,金属的催化剂活性,实际上反映的是反应区间的动态过程。低能电子衍射(LEED)技术和透射电子显微镜(TEM)对固体表面的研究发现,金属吸附气体后表面会发生重排,表面进行催化反应时也有类似现象,有的还发生原子迁移和原子间距增大等。
(4)表面在原子水平上的不均匀性与催化活性—TSK模型
随着表面技术的发展,一些用肉眼看到的表面好象很平滑,其实不然,它们在原子水平上是不均匀的,存在着各种不同类型的表面位(Sites)。所谓TSK模型,指原子表面上存在着台阶(Terrace)、梯级(Step)和拐折(Kink)模型。在表面上存在的拐折、梯级、空位、附加原子等表面位,都十分活泼。它们对表面上原子的迁移,对参与化学反应,都起着重要的作用。从催化的角度讲,它们都是活性较高的部位。实验说明,单晶催化剂的催化活性和选择性随晶面而异。
(5) 负载型金属催化剂的催化活性
金属的分散度
    金属在载体上微细的程度用分散度D(Dispersion)来表示,其定义为:
因为催化反应都是在位于表面上的原子处进行,故分散度好的催化剂,一般其催化效果较好。当D = 1时,意味着金属原子全部暴露。
    金属在载体上微细分散的程度,直接关系到表面金属原子的状态,影响到这种负载型催化剂的活性。通常晶面上的原子有三种类型:位于晶角上,位于晶棱上和位于晶面上。显然位于顶角和棱边上的原子较之位于面上的配位数要低。随着晶粒大小的变化,不同配位数位(Sites)的比重也会变,相对应的原子数也跟着要变。涉及低配位数位的吸附和反应,将随晶粒变小而增加;而位于面上的位,将随晶粒的增大而增加。
载体效应
①活性组分与载体的溢流现象(Spillover)和强相互作用
    所谓溢流现象,是指固体催化剂表面的活性中心(原有的活性中心)经吸附产生出一种离子的或者自由基的活性物种,它们迁移到别的活性中心处(次级活性中心)的现象。它们可以化学吸附诱导出新的活性或进行某种化学反应。如果没有原有活性中心,这种次级活性中心不可能产生出有意义的活性物种,这就是溢流现象。它的发生至少两个必要的条件:(A)溢流物种发生的主源;(B)接受新物种的受体,它是次级活性中心。
    前者是Pt、Pd、Ru、Rh和Cu等金属原子。催化剂在使用中是处于连续变化状态,这种状态是温度、催化剂组成,吸附物种和催化环境的综合函数。据此可以认为,传统的Langmuir-Hinshelwood动力学模型,应基于溢流现象重新加以审定。因为从溢流现象中知道,催化加氢的活性物种不只是H,而应该是H0、H+、H2、H-等的平衡组成;催化氧化的活性物种不只是O,而应该是O0、O-、O=和O2等的平衡组成。溢流现象是50年代初研究H2在Pt/Al2O3上的解离吸附时发现的,现在发现O2、CO、NO和某些烃分子吸附时都可能发生这种溢流现象。溢流现象的研究是近二十多年来催化领域中最有意义的进展之一。
    氢溢流现象的研究,发现了另一类重要的作用,即金属、载体间的强相互作用,常简称之为SMSI(Strong-Metal-Support-Interaction)效应。当金属负载于可还原的金属氧化物载体上,如在TiO2上时,在高温下还原导致降低金属对H2的化学吸附和反应能力。这是由于可还原的载体与金属间发生了强相互作用,载体将部分电子传递给金属,从而减小对H2的化学吸附能力。
    受此作用的影响,金属催化剂可以分为两类:一类是烃类的加氢、脱氢反应,其活性受到很大的抑制;另一类是有CO参加的反应,如CO + H2反应,CO + NO反应,其活性得到很大提高,选择性也增强。这后面一类反应的结果,从实际应用来说,利用SMSI解决能源及环保等问题有潜在意义。研究的金属主要是Pt、Pd、Rh贵金属,目前研究工作仍很活跃,多偏重于基础研究,对工业催化剂的应用尚待开发。
②载体对金属还原的影响
    研究发现,在氢气氛中,非负载的NiO粉末,可在400℃下完全还原成金属,而分散在SiO2或Al2O3载体上的NiO,还原就困难多了,可见金属的还原性因分散在载体上改变了。研究还发现,非负载的较大粒度的CuO比高度分散地分散在SiO2或Al2O3载体上的还原温度要低。这两种相反的现象,除决定于金属氧化物的分散度外,还决定于金属与载体之间的相互作用。金属和载体之间相互作用有强弱之分。除上面提到的强相互作用外,还有中等强度的相互作用和弱相互作用。
    金属与载体的相互作用有利于阻止金属微晶的烧结和晶粒长大。对于负载型催化剂,理想的情况是,活性组分既与载体有较强的相互作用,又不至于阻滞金属的还原。金属与载体的相互作用的形成在很大程度上取决于催化剂制备过程中的焙烧和还原温度与时间。温度对负载型催化剂的影响是多方面的,它可能使活性组分挥发、流失、烧结和微晶长大等。大致有这样的规律:当温度为0.3Tm(Huttig温度)时,开始发生晶格表面质点的迁移(Tm为熔点);当温度为0.5Tm(Tammam温度)时,开始发生晶格体相内的质点迁移。在高于Tammam温度以上焙烧或还原,有些金属能形成固溶体。
(3)结构敏感与非敏感反应
    对金属负载型催化剂,影响活性的因素有三种:①在临界范围内颗粒大小的影响和单晶取向;②一种活性的第VIII族金属与一种较小活性的IB族金属,如Ni-Cu形成合金的影响;③从一种第VIII族金属替换成同族中的另一种金属的影响。根据对这三种影响敏感性的不同,催化反应可以区分为两大类。一类涉及H-H、C-H或O-H键的断裂或生成的反应,它们对结构的变化、合金的变化或金属性质的变化,敏感性不大,称之为结构非敏感(Structrure- insensitive)反应。
    另一类涉及C-C、N-N或C-O键的断裂或生成的反应,对结构的变化、合金的变化或金属性质的变化,敏感性较大,称之为结构敏感(Structrure-sensitive)反应。例如,环丙烷加氢就是一种结构非敏感反应。用宏观的单晶Pt作催化剂(无分散D ≌ 0)与用负载于Al2O3或SiO2的微晶(1~1.5nm)作催化剂(D ≌ 1),测得的转化频率基本相同。氨在负载铁催化剂上的合成,是一种结构敏感反应。因为该反应的转化频率随铁分散度的增加而增加。
    造成催化反应结构非敏感性的原因可归纳为三种情况:在负载Pt催化剂上,H2-O2反应的结构非敏感性是由于氧过剩,致使Pt表面几乎完全为氧吸附单层所覆盖,将原来的Pt表面的细微结构掩盖了,造成结构非敏感。这种原因称之为表面再构(Surface construction)。另一种结构非敏感反应与正常情况相悖,活性组分晶粒分散度低的(扁平的面)较之高的(顶与棱)更活泼。
    例如二叔丁基乙炔在Pt上的加氢就是如此。因为催化中间物的形成,金属原子是从它们的正常部位提取的,故是结构非敏感的。这种原因称之为提取式化学吸附(Entra- ctive Chemisorption)。第三种结构非敏感性的原因是活性部位不是位于表面上的金属原子,而是金属原子与基质相互作用形成的金属烷基物种。环己烯在Pt和Pd上的加氢,就是由于这种原因造成的结构敏感反应。 返回小木虫查看更多

今日热帖
  • 精华评论
猜你喜欢
下载小木虫APP
与700万科研达人随时交流
  • 二维码
  • IOS
  • 安卓