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ponieer

金虫 (著名写手)

[求助] 激光干涉光刻应该选取什么样的光刻胶 已有2人参与

光源是325nm的He-Cd激光器,功率是50mw。
希望涂胶厚度范围可以控制在100nm-1000nm之间。所刻的光栅周期在300纳米到1微米之间。显影的深度最好能比较方便控制。
可能会用到lift-off工艺来制作金属光栅。

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ponieer

金虫 (著名写手)

引用回帖:
3楼: Originally posted by yswyx at 2014-09-19 12:36:11
325nm的光源,距离365nm的i线较近,可以选择i线胶做。
对于你想要的厚度范围,推荐用Ultra i 系列的光刻胶,基本上是i线领域分辨率最高的光刻胶了。
如果用负胶的话,SU8中的1030可以考虑,只是去胶麻烦。
如果是 ...

那综合我的要求,到底哪种比较好啊
4楼2014-09-19 19:25:18
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yswyx

专家顾问 (著名写手)

★ ★ ★
感谢参与,应助指数 +1
ponieer: 金币+3, ★★★很有帮助 2014-09-19 19:23:04
dgf2008: 屏蔽内容, 过期内容! 2017-07-25 23:37:59
本帖内容被屏蔽

3楼2014-09-19 12:36:11
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exciting73

金虫 (著名写手)


【答案】应助回帖

商家已经主动声明此回帖可能含有宣传内容
感谢参与,应助指数 +1
引用回帖:
4楼: Originally posted by ponieer at 2014-09-19 19:25:18
那综合我的要求,到底哪种比较好啊...

可以选择ma-P1205或ma-N1405,如果有lift-off工艺建议ma-N1405。如有需要请站内联系。
6楼2014-09-20 14:57:04
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diaokaidi

木虫 (正式写手)

求教,老板要我搭一个激光干涉平台,我刚接触一头雾水。能不能传授点经验,激光器选择(脉冲or连续),激光能量,相干长度要求等方面,多谢!
8楼2015-06-16 10:08:30
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