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二氧化硅RIE刻蚀 已有2人参与
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| 我们有一台中科院的ME-3A型磁增强反应离子刻蚀机，现在刻蚀硅片已经对达到最优化，一分钟能达到600nm左右，但是对于石英只能几十纳米，所以跟大家交流一下刻蚀参数。我们目前使用的参数是：流量15，压强0.5Pa，功率100W，速率25nm/min |
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2楼2014-06-24 10:17:40
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quanten
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9楼2014-09-25 00:06:33
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