| 查看: 3454 | 回复: 11 | |||
[求助]
二氧化硅RIE刻蚀 已有2人参与
|
| 我们有一台中科院的ME-3A型磁增强反应离子刻蚀机，现在刻蚀硅片已经对达到最优化，一分钟能达到600nm左右，但是对于石英只能几十纳米，所以跟大家交流一下刻蚀参数。我们目前使用的参数是：流量15，压强0.5Pa，功率100W，速率25nm/min |
回复此楼» 猜你喜欢
请问对标matlab的开源软件octave的网站https://octave.org为什么打不开？
已经有1人回复
-
求助两种BiOBr晶体的CIF文件（卡片号为JCPDS 09-0393与JCPDS 01-1004 ）
已经有0人回复
-
金属材料论文润色/翻译怎么收费?
已经有180人回复
-
哈尔滨工程大学材化学院国家级青年人才-26年硕士招生
已经有0人回复
-
求助Fe-TCPP、Zn-TCPP的CIF文件，或者CCDC号
已经有0人回复
» 本主题相关商家推荐: (我也要在这里推广)
» 本主题相关价值贴推荐，对您同样有帮助:
- ICP刻蚀侧壁陡直度
已经有5人回复
- 纳米制备艺术（16）：硅尖列阵制备工艺（RIE on SiO2层）
已经有3人回复
- 二氧化硅的表面改性，
已经有10人回复
- PMMA接枝到纳米二氧化硅微球表面，用HF刻蚀掉二氧化硅，怎么回收高分子？
已经有8人回复
- 怎样在2微米厚的Mo片上刻蚀微米尺寸的洞？谢谢
已经有4人回复
- 求助 湿法腐蚀二氧化硅 边缘不光滑 求大家分析下原因 有图
已经有18人回复
- 做光刻、刻蚀的请驻足浏览一下吧，悬赏50金币
已经有14人回复
- 以SiO2为模板, 如何去除SiO2
已经有6人回复
- 二氧化硅做模板剂怎么除去
已经有16人回复
- 请教RIE刻蚀PS球的工艺参数
已经有6人回复
- 氢氟酸刻蚀二氧化硅的反应条件
已经有10人回复
- 请问下氢氟酸除去二氧化硅的问题
已经有11人回复
- 用氢氟酸洗去二氧化硅，怎么除去氢氟酸呢？
已经有18人回复
- 等离子刻蚀后的废气
已经有3人回复
- SiO2表面接枝PNIPAM后再HF刻蚀能成空心球吗
已经有6人回复
- 二氧化硅包覆四氧化三铁，如何只除去二氧化硅而保留四氧化三铁？
已经有17人回复
- 【求助】氢氟酸刻蚀硅片，粗糙度是怎么变化的啊？
已经有16人回复
- 【求助】除去硅表面的二氧化硅
已经有13人回复
- 【求助】反应离子刻蚀的问题
已经有6人回复
2楼2014-06-24 10:17:40
3楼2014-06-26 15:35:54
quanten
金虫 (著名写手)
QQ群(NW-FET): 157220400
- 应助: 34 (小学生)
- 金币: 1672.3
- 散金: 204
- 红花: 18
- 帖子: 1055
- 在线: 570.9小时
- 虫号: 478681
- 注册: 2007-12-14
- 性别: GG
- 专业: 半导体电子器件
4楼2014-06-26 15:56:26
5楼2014-07-08 16:33:06
6楼2014-09-22 11:18:31
quanten
金虫 (著名写手)
QQ群(NW-FET): 157220400
- 应助: 34 (小学生)
- 金币: 1672.3
- 散金: 204
- 红花: 18
- 帖子: 1055
- 在线: 570.9小时
- 虫号: 478681
- 注册: 2007-12-14
- 性别: GG
- 专业: 半导体电子器件
7楼2014-09-22 23:46:42
8楼2014-09-23 09:09:40
quanten
金虫 (著名写手)
QQ群(NW-FET): 157220400
- 应助: 34 (小学生)
- 金币: 1672.3
- 散金: 204
- 红花: 18
- 帖子: 1055
- 在线: 570.9小时
- 虫号: 478681
- 注册: 2007-12-14
- 性别: GG
- 专业: 半导体电子器件
9楼2014-09-25 00:06:33
雨之长门
铁虫 (初入文坛)
- 应助: 1 (幼儿园)
- 金币: 89.8
- 散金: 9
- 帖子: 5
- 在线: 18.6小时
- 虫号: 3227860
- 注册: 2014-05-23
- 性别: GG
- 专业: 生物、医学光子学
10楼2014-10-16 22:53:59