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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 材料区 » 微米和纳米 » 微纳加工 » 【求助】反应离子刻蚀的问题
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wangshuozxcv

铁杆木虫 (正式写手)

[交流] 【求助】反应离子刻蚀的问题

小弟想在利用二氧化硅做掩模板，利用反应离子刻蚀在硅表面刻蚀硅纳米线
但是 刻出来的效果很差 感觉好像没有刻动一下 大家帮我分析一下原因。


谢谢了
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1楼 2010-12-15 14:15:38
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wangshuozxcv

铁杆木虫 (正式写手)
怎么没人帮我解答呀
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2楼2010-12-16 09:51:24
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wangshuozxcv

铁杆木虫 (正式写手)
自己的帖子 再支持一下
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3楼2010-12-24 09:50:20
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kpliu1

新虫 (初入文坛)
因为选择比不够高，建议改刻蚀气体。
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4楼2011-03-30 00:24:14
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rock19850817

铜虫 (小有名气)
换掩膜材料 最好是金属  比如 Cr
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5楼2011-04-05 21:43:22
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quanbaogang

木虫 (正式写手)
wangshuozxcv(金币+10): 多谢 麻烦可以PM一个联系方式吗？QQ之类的 我有一些纳米线阵列问题要问 2011-04-11 09:19:32
一般来讲利用反应离子刻蚀技术二氧化硅对硅的选择比也就是20以内，如果想得到纳米线有点难。
高的选择比需要优化工艺，不要用三氯甲烷，应该用六氟化硫和氧气的混合气体。鉴于反应离子刻蚀是纳米级刻蚀技术，高长径比的纳米线应该使用ICP的冷冻刻蚀技术。建议楼主多看看与ICP相关文献。
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6楼2011-04-09 00:29:27
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yupeng2012

金虫 (正式写手)
★
小木虫: 金币+0.5, 给个红包，谢谢回帖
您好，我想问一下您用反应离子的方法刻蚀出来Si纳米线了吗？
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7楼2014-05-25 16:04:40
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