[交流] 【求助】反应离子刻蚀的问题

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1楼2010-12-15 14:15:38

wangshuozxcv

铁杆木虫 (正式写手)

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怎么没人帮我解答呀

2楼2010-12-16 09:51:24

wangshuozxcv

铁杆木虫 (正式写手)

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3楼2010-12-24 09:50:20

kpliu1

新虫 (初入文坛)

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因为选择比不够高，建议改刻蚀气体。

4楼2011-03-30 00:24:14

rock19850817

铜虫 (小有名气)

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换掩膜材料最好是金属比如 Cr

5楼2011-04-05 21:43:22

quanbaogang

木虫 (正式写手)

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wangshuozxcv(金币+10): 多谢麻烦可以PM一个联系方式吗？QQ之类的我有一些纳米线阵列问题要问 2011-04-11 09:19:32

一般来讲利用反应离子刻蚀技术二氧化硅对硅的选择比也就是20以内，如果想得到纳米线有点难。
高的选择比需要优化工艺，不要用三氯甲烷，应该用六氟化硫和氧气的混合气体。鉴于反应离子刻蚀是纳米级刻蚀技术，高长径比的纳米线应该使用ICP的冷冻刻蚀技术。建议楼主多看看与ICP相关文献。

6楼2011-04-09 00:29:27

yupeng2012

金虫 (正式写手)

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您好，我想问一下您用反应离子的方法刻蚀出来Si纳米线了吗？

7楼2014-05-25 16:04:40