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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 材料区 » 微米和纳米 » 微纳加工 » ICP刻蚀侧壁陡直度
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chc33

新虫 (初入文坛)

[求助] ICP刻蚀侧壁陡直度 已有2人参与

请问做ICP刻蚀研究的高手，二氧化硅线条刻蚀后的侧壁陡直度主要取决于哪些因素？我们实验室以前有一天ICP刻蚀机，腔室比较小，我们可以刻出侧面将近90度的侧壁，最近新换了一台腔室很大的ICP刻蚀机，下电极尺寸320mm，但是刻出来的氧化硅线条侧壁陡直度很差，我调了很多参数，包括上下电极功率，腔室压力，气体流量及配比，我们使用CHF3, Ar和O2，但发现陡直度改善很有限，不知道侧壁陡直度主要取决于什么因素？望高人指点，万分感激
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1楼 2014-04-26 18:48:33
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yuanxin5254

金虫 (正式写手)

【答案】应助回帖

感谢参与，应助指数 +1
刻蚀速率慢一点试试
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我们坚持做一件事情，并不是这样做了有效果，而是坚信，这样做了是对的。
2楼2014-04-26 20:36:55
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quanten

金虫 (著名写手)

QQ群(NW-FET): 157220400
应该减小氧含量
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3楼2014-04-27 01:42:12
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yuanxin5254

金虫 (正式写手)

【答案】应助回帖

你们只用了三种气体？
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我们坚持做一件事情，并不是这样做了有效果，而是坚信，这样做了是对的。
4楼2014-04-30 11:14:22
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pptang

荣誉版主 (著名写手)

【答案】应助回帖

主要是bias power和气体，以及你的aspect ratio。刻二氧化硅为什么不用CCP？ CCP刻蚀的profile控制会更好
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您的支持，是我的动力！！！
5楼2014-05-27 17:14:55
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yangguiyi

铜虫 (小有名气)
楼主还在吗，我也需要做氧化硅干法刻蚀，对侧壁垂直度有要求，请问你的问题解决了了吗？您单位能外协加工吗？
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6楼2015-07-22 17:21:37
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