| 查看: 1625 | 回复: 5 | ||
[求助]
ICP刻蚀侧壁陡直度 已有2人参与
|
| 请问做ICP刻蚀研究的高手，二氧化硅线条刻蚀后的侧壁陡直度主要取决于哪些因素？我们实验室以前有一天ICP刻蚀机，腔室比较小，我们可以刻出侧面将近90度的侧壁，最近新换了一台腔室很大的ICP刻蚀机，下电极尺寸320mm，但是刻出来的氧化硅线条侧壁陡直度很差，我调了很多参数，包括上下电极功率，腔室压力，气体流量及配比，我们使用CHF3, Ar和O2，但发现陡直度改善很有限，不知道侧壁陡直度主要取决于什么因素？望高人指点，万分感激 |
回复此楼» 猜你喜欢
学院官方群-院士团队招生-学生自由度高-培养模式成熟已有10余名学生赴985海外深造
已经有0人回复
-
武汉纺织大学化工学院官方群-院士团队招生-学生自由度高-10余名学生赴985海外深造
已经有0人回复
-
金属材料论文润色/翻译怎么收费?
已经有193人回复
-
南昌航空大学蒋华麟教授课题组招收化学、环境、碳达峰碳中和及相关专业硕士信息
已经有0人回复
-
湖北师范大学复试调剂
已经有0人回复
-
武汉纺织大学_化工学院官方调剂群-院士团队招生-学生自由度高-每届发展好
已经有0人回复
-
河北大学材料与化工专业研究生（专硕）招收调剂生
已经有0人回复
-
河北大学无机化学专业招收调剂生
已经有0人回复
-
济南大学国家优青课题组 2026 调剂招生来啦
已经有0人回复
-
武汉纺织大学_化学院官方调剂群-院士团队招生-学生自由度高发展好-欢迎各位同学
已经有0人回复
» 本主题相关价值贴推荐，对您同样有帮助:
- MEMS技术刻蚀硅片，由于实验室条件简陋
已经有6人回复
- 硅纳米线湿法刻蚀
已经有8人回复
- 求助 湿法腐蚀二氧化硅 边缘不光滑 求大家分析下原因 有图
已经有18人回复
- IBE刻蚀孔结构不均匀问题
已经有10人回复
- 硅 湿法刻蚀 掩膜
已经有11人回复
- 湿法刻蚀硅片和铝箔用什么做掩膜比较好？
已经有4人回复
- 硅片湿法刻蚀 怎么刻蚀不上啊？求救
已经有11人回复
yuanxin5254
金虫 (正式写手)
- 应助: 26 (小学生)
- 金币: 1035.4
- 散金: 165
- 红花: 2
- 帖子: 302
- 在线: 105.3小时
- 虫号: 3010956
- 注册: 2014-03-02
- 性别: GG
- 专业: 半导体光电子器件
2楼2014-04-26 20:36:55
quanten
金虫 (著名写手)
QQ群(NW-FET): 157220400
- 应助: 34 (小学生)
- 金币: 1672.3
- 散金: 204
- 红花: 18
- 帖子: 1055
- 在线: 570.9小时
- 虫号: 478681
- 注册: 2007-12-14
- 性别: GG
- 专业: 半导体电子器件
3楼2014-04-27 01:42:12
yuanxin5254
金虫 (正式写手)
- 应助: 26 (小学生)
- 金币: 1035.4
- 散金: 165
- 红花: 2
- 帖子: 302
- 在线: 105.3小时
- 虫号: 3010956
- 注册: 2014-03-02
- 性别: GG
- 专业: 半导体光电子器件
4楼2014-04-30 11:14:22
pptang
荣誉版主 (著名写手)
- 应助: 11 (小学生)
- 贵宾: 3.85
- 金币: 1851.9
- 散金: 3463
- 红花: 4
- 帖子: 2336
- 在线: 332.2小时
- 虫号: 67
- 注册: 2003-03-01
- 性别: GG
- 专业: 电工材料特性及其应用
- 管辖: 论文翻译
5楼2014-05-27 17:14:55
6楼2015-07-22 17:21:37
