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雨过天晴57

木虫 (初入文坛)

[求助] 硅 湿法刻蚀 掩膜

各位师兄师姐好,请问硅湿法刻蚀40微米深,用哪种材料做掩膜比较结实,不宜被腐蚀掉,谢谢,如果有,请提供刻蚀方法,我会追加金币的。
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yswyx

专家顾问 (著名写手)


【答案】应助回帖

感谢参与,应助指数 +1
标准的是SiO+SiN,先长氧化硅,要热氧的,然后再做LPCVD的SiN。主要起作用的是SiN,厚度要看你能找到的加工的水平,怎么也要3000A吧。腐蚀的方法很简单,KOH浓溶液加热到80度,速率自己摸。如果超净间不许进KOH,那就用25%的TMAH。

其实如果你做的片子少,就没必要用腐蚀,因为LPCVD很贵的。我倒建议直接用光刻胶做掩蔽层,做ICP刻蚀,这样侧壁还陡直。
2楼2012-09-28 19:36:33
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yswyx

专家顾问 (著名写手)


【答案】应助回帖

引用回帖:
4楼: Originally posted by 雨过天晴57 at 2012-10-04 21:46:02
再问一下,如果先长氧化硅,再氮化硅,光刻后该选择哪种方式将图案转移到这两层掩膜(也就是该怎么刻蚀这两种掩膜),才能进行最后KOH刻蚀硅。...

如果是SiO+SiN,那么光刻后进行腐蚀,SiO用HF,最好是BOE,SiN用磷酸,查一下书或者啊网上找找配方。
这两层腐蚀好以后,再做KOH。

没条件的可以找地方加工,找不到的话call me

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6楼2012-10-05 05:44:09
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yswyx

专家顾问 (著名写手)


【答案】应助回帖

光刻胶一定时间内耐磷酸,也耐HF。HF腐蚀SiN和Si的速度远远低于腐蚀SiO。
腐蚀的时间需要实验,一般来说看颜色,看台阶。实在不行多泡一会儿,肯定腐蚀掉了。这套工艺是不怕过腐蚀的,选择比都很高。
8楼2012-10-10 18:04:25
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普通回帖

雨过天晴57

木虫 (初入文坛)

引用回帖:
2楼: Originally posted by yswyx at 2012-09-28 19:36:33
标准的是SiO+SiN,先长氧化硅,要热氧的,然后再做LPCVD的SiN。主要起作用的是SiN,厚度要看你能找到的加工的水平,怎么也要3000A吧。腐蚀的方法很简单,KOH浓溶液加热到80度,速率自己摸。如果超净间不许进KOH,那 ...

多谢啦!
3楼2012-10-04 21:40:22
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雨过天晴57

木虫 (初入文坛)

引用回帖:
2楼: Originally posted by yswyx at 2012-09-28 19:36:33
标准的是SiO+SiN,先长氧化硅,要热氧的,然后再做LPCVD的SiN。主要起作用的是SiN,厚度要看你能找到的加工的水平,怎么也要3000A吧。腐蚀的方法很简单,KOH浓溶液加热到80度,速率自己摸。如果超净间不许进KOH,那 ...

再问一下,如果先长氧化硅,再氮化硅,光刻后该选择哪种方式将图案转移到这两层掩膜(也就是该怎么刻蚀这两种掩膜),才能进行最后KOH刻蚀硅。
4楼2012-10-04 21:46:02
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真空涨落

木虫 (小有名气)

【答案】应助回帖

他的意思是直接光刻,就不用掩膜啦,光刻胶来作掩膜。
也可以腐蚀两种掩膜,用缓冲氢氟酸

[ 发自手机版 http://muchong.com/3g ]
物含妙理总堪寻
5楼2012-10-04 22:13:53
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雨过天晴57

木虫 (初入文坛)

送鲜花一朵
引用回帖:
6楼: Originally posted by yswyx at 2012-10-05 05:44:09
如果是SiO+SiN,那么光刻后进行腐蚀,SiO用HF,最好是BOE,SiN用磷酸,查一下书或者啊网上找找配方。
这两层腐蚀好以后,再做KOH。

没条件的可以找地方加工,找不到的话call me...

先去SiN,用磷酸会不会损坏光刻胶?然后HF,会不会损坏光刻胶和SiN?HF去除完SiO后会不会接着和Si反应?什么时候就知道去除完SiO了?问题比较多,麻烦您了
7楼2012-10-10 15:39:42
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雨过天晴57

木虫 (初入文坛)

引用回帖:
8楼: Originally posted by yswyx at 2012-10-10 18:04:25
光刻胶一定时间内耐磷酸,也耐HF。HF腐蚀SiN和Si的速度远远低于腐蚀SiO。
腐蚀的时间需要实验,一般来说看颜色,看台阶。实在不行多泡一会儿,肯定腐蚀掉了。这套工艺是不怕过腐蚀的,选择比都很高。

多谢了
9楼2012-10-11 10:47:22
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hello_Jzz

银虫 (小有名气)

引用回帖:
2楼: Originally posted by yswyx at 2012-09-28 19:36:33
标准的是SiO+SiN,先长氧化硅,要热氧的,然后再做LPCVD的SiN。主要起作用的是SiN,厚度要看你能找到的加工的水平,怎么也要3000A吧。腐蚀的方法很简单,KOH浓溶液加热到80度,速率自己摸。如果超净间不许进KOH,那 ...

这位师兄,你好,请问如果用光刻胶做掩膜,用ICP刻蚀,这个过程,不会对光刻胶造成损坏吗?
我现在遇到一个问题,我的硅片是500微米厚加300nm后的SiO2,现在想在上面腐蚀出一个600微米大的窗口,但是只腐蚀Si,保留SiO2,请问有什么好方法吗?
10楼2014-10-11 10:33:03
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