应《网络安全法》要求，自2017年10月1日起，未进行实名认证将不得使用互联网跟帖服务。为保障您的帐号能够正常使用，请尽快对帐号进行手机号验证，感谢您的理解与支持！

24小时热门版块排行榜    

小木虫论坛-学术科研互动平台 » 材料区 » 微米和纳米 » 学术讨论 » 硅 湿法刻蚀 掩膜
51/1返回列表
查看: 2838  |  回复: 11
只看楼主 @他人 存档 新回复提醒 (忽略) 收藏    在APP中查看
当前只显示满足指定条件的回帖，点击这里查看本话题的所有回帖

雨过天晴57

木虫 (初入文坛)

[求助] 硅 湿法刻蚀 掩膜

各位师兄师姐好，请问硅湿法刻蚀40微米深，用哪种材料做掩膜比较结实，不宜被腐蚀掉，谢谢，如果有，请提供刻蚀方法，我会追加金币的。
回复此楼

» 收录本帖的淘帖专辑推荐

纳米制备

» 猜你喜欢

» 本主题相关商家推荐: (我也要在这里推广)

» 本主题相关价值贴推荐，对您同样有帮助:
1楼 2012-09-28 18:19:39
已阅   回复此楼   关注TA 给TA发消息 送TA红花 TA的回帖

真空涨落

木虫 (小有名气)

【答案】应助回帖

他的意思是直接光刻，就不用掩膜啦，光刻胶来作掩膜。
也可以腐蚀两种掩膜，用缓冲氢氟酸

[ 发自手机版 http://muchong.com/3g ]
赞一下 回复此楼
物含妙理总堪寻
5楼2012-10-04 22:13:53
已阅   回复此楼   关注TA 给TA发消息 送TA红花 TA的回帖
查看全部 12 个回答

yswyx

专家顾问 (著名写手)

【答案】应助回帖

感谢参与，应助指数 +1
标准的是SiO＋SiN，先长氧化硅，要热氧的，然后再做LPCVD的SiN。主要起作用的是SiN，厚度要看你能找到的加工的水平，怎么也要3000A吧。腐蚀的方法很简单，KOH浓溶液加热到80度，速率自己摸。如果超净间不许进KOH，那就用25％的TMAH。

其实如果你做的片子少，就没必要用腐蚀，因为LPCVD很贵的。我倒建议直接用光刻胶做掩蔽层，做ICP刻蚀，这样侧壁还陡直。
赞一下(4人) 回复此楼
2楼2012-09-28 19:36:33
已阅   回复此楼   关注TA 给TA发消息 送TA红花 TA的回帖

雨过天晴57

木虫 (初入文坛)
引用回帖:
2楼: Originally posted by yswyx at 2012-09-28 19:36:33
标准的是SiO＋SiN，先长氧化硅，要热氧的，然后再做LPCVD的SiN。主要起作用的是SiN，厚度要看你能找到的加工的水平，怎么也要3000A吧。腐蚀的方法很简单，KOH浓溶液加热到80度，速率自己摸。如果超净间不许进KOH，那 ...

多谢啦！
回复此楼
3楼2012-10-04 21:40:22
已阅   回复此楼   关注TA 给TA发消息 送TA红花 TA的回帖

雨过天晴57

木虫 (初入文坛)
引用回帖:
2楼: Originally posted by yswyx at 2012-09-28 19:36:33
标准的是SiO＋SiN，先长氧化硅，要热氧的，然后再做LPCVD的SiN。主要起作用的是SiN，厚度要看你能找到的加工的水平，怎么也要3000A吧。腐蚀的方法很简单，KOH浓溶液加热到80度，速率自己摸。如果超净间不许进KOH，那 ...

再问一下，如果先长氧化硅，再氮化硅，光刻后该选择哪种方式将图案转移到这两层掩膜（也就是该怎么刻蚀这两种掩膜），才能进行最后KOH刻蚀硅。
赞一下 回复此楼
4楼2012-10-04 21:46:02
已阅   回复此楼   关注TA 给TA发消息 送TA红花 TA的回帖
查看全部 12 个回答
普通表情 龙 兔 虎 猫
最具人气热帖推荐 [查看全部] 作者 回/看 最后发表
[考研] 279分求调剂 一志愿211 +8 chaojifeixia 2026-03-19 8/400 2026-03-20 11:29 by lature00
[考研] 材料专硕英一数二306 +6 z1z2z3879 2026-03-18 6/300 2026-03-20 08:49 by xingguangj
[考研] 0817 化学工程 299分求调剂 有科研经历 有二区文章 +20 rare12345 2026-03-18 20/1000 2026-03-20 08:42 by 无际的草原
[考研] 一志愿苏州大学材料求调剂，总分315（英一） +3 sbdksD 2026-03-19 3/150 2026-03-19 23:21 by fmesaito
[考研] 294求调剂材料与化工专硕 +14 陌の森林 2026-03-18 14/700 2026-03-19 22:38 by 学员8dgXkO
[考研] 一志愿天津大学化学工艺专业（081702）315分求调剂 +11 yangfz 2026-03-17 11/550 2026-03-19 15:06 by houyaoxu
[考研] 求调剂 +3 Mqqqqqq 2026-03-19 3/150 2026-03-19 14:11 by peike
[考研] 化学求调剂 +3 临泽境llllll 2026-03-17 4/200 2026-03-19 13:59 by houyaoxu
[考研] 287求调剂 +3 晨昏线与星海 2026-03-19 4/200 2026-03-19 12:32 by peike
[考研] 一志愿985，本科211，0817化学工程与技术319求调剂 +10 Liwangman 2026-03-15 10/500 2026-03-19 10:25 by 无际的草原
[考研] 085600材料与化工 +5 安全上岸！ 2026-03-16 5/250 2026-03-18 15:33 by cmz0325
[考研] 08工科 320总分 求调剂 +5 梨花珞晚风 2026-03-17 5/250 2026-03-18 14:49 by haxia
[考研] 材料，纺织，生物（0856、0710），化学招生啦 +3 Eember. 2026-03-17 9/450 2026-03-18 10:28 by Eember.
[考研] 308求调剂 +4 是Lupa啊 2026-03-16 4/200 2026-03-17 17:12 by ruiyingmiao
[考研] 一志愿苏州大学材料工程（085601）专硕有科研经历三项国奖两个实用型专利一项省级立项 +6 大火山小火山 2026-03-16 8/400 2026-03-17 15:05 by 无懈可击111
[考研] 274求调剂 +5 时间点 2026-03-13 5/250 2026-03-17 07:34 by 热情沙漠
[考研] 0854控制工程 359求调剂 可跨专业 +3 626776879 2026-03-14 9/450 2026-03-16 17:42 by 626776879
[考研] 304求调剂 +4 ahbd 2026-03-14 4/200 2026-03-16 16:48 by 我的船我的海
[考研] 080500，材料学硕302分求调剂学校 +4 初识可乐 2026-03-14 5/250 2026-03-14 21:08 by peike
[考研] 311求调剂 +3 冬十三 2026-03-13 3/150 2026-03-13 20:41 by JourneyLucky
信息提示
关闭
请填处理意见
关闭