24小时热门版块排行榜    

查看: 2834  |  回复: 11
当前只显示满足指定条件的回帖,点击这里查看本话题的所有回帖

雨过天晴57

木虫 (初入文坛)

[求助] 硅 湿法刻蚀 掩膜

各位师兄师姐好,请问硅湿法刻蚀40微米深,用哪种材料做掩膜比较结实,不宜被腐蚀掉,谢谢,如果有,请提供刻蚀方法,我会追加金币的。
回复此楼
已阅   回复此楼   关注TA 给TA发消息 送TA红花 TA的回帖

雨过天晴57

木虫 (初入文坛)

引用回帖:
2楼: Originally posted by yswyx at 2012-09-28 19:36:33
标准的是SiO+SiN,先长氧化硅,要热氧的,然后再做LPCVD的SiN。主要起作用的是SiN,厚度要看你能找到的加工的水平,怎么也要3000A吧。腐蚀的方法很简单,KOH浓溶液加热到80度,速率自己摸。如果超净间不许进KOH,那 ...

多谢啦!
3楼2012-10-04 21:40:22
已阅   回复此楼   关注TA 给TA发消息 送TA红花 TA的回帖
查看全部 12 个回答

yswyx

专家顾问 (著名写手)


【答案】应助回帖

感谢参与,应助指数 +1
标准的是SiO+SiN,先长氧化硅,要热氧的,然后再做LPCVD的SiN。主要起作用的是SiN,厚度要看你能找到的加工的水平,怎么也要3000A吧。腐蚀的方法很简单,KOH浓溶液加热到80度,速率自己摸。如果超净间不许进KOH,那就用25%的TMAH。

其实如果你做的片子少,就没必要用腐蚀,因为LPCVD很贵的。我倒建议直接用光刻胶做掩蔽层,做ICP刻蚀,这样侧壁还陡直。
2楼2012-09-28 19:36:33
已阅   回复此楼   关注TA 给TA发消息 送TA红花 TA的回帖

雨过天晴57

木虫 (初入文坛)

引用回帖:
2楼: Originally posted by yswyx at 2012-09-28 19:36:33
标准的是SiO+SiN,先长氧化硅,要热氧的,然后再做LPCVD的SiN。主要起作用的是SiN,厚度要看你能找到的加工的水平,怎么也要3000A吧。腐蚀的方法很简单,KOH浓溶液加热到80度,速率自己摸。如果超净间不许进KOH,那 ...

再问一下,如果先长氧化硅,再氮化硅,光刻后该选择哪种方式将图案转移到这两层掩膜(也就是该怎么刻蚀这两种掩膜),才能进行最后KOH刻蚀硅。
4楼2012-10-04 21:46:02
已阅   回复此楼   关注TA 给TA发消息 送TA红花 TA的回帖

真空涨落

木虫 (小有名气)

【答案】应助回帖

他的意思是直接光刻,就不用掩膜啦,光刻胶来作掩膜。
也可以腐蚀两种掩膜,用缓冲氢氟酸

[ 发自手机版 http://muchong.com/3g ]
物含妙理总堪寻
5楼2012-10-04 22:13:53
已阅   回复此楼   关注TA 给TA发消息 送TA红花 TA的回帖
最具人气热帖推荐 [查看全部] 作者 回/看 最后发表
[考研] 281求调剂(0805) +11 烟汐忆海 2026-03-16 21/1050 2026-03-20 08:45 by 无际的草原
[考研] 304求调剂 +4 曼殊2266 2026-03-18 4/200 2026-03-20 07:17 by Iveryant
[考研] 085700资源与环境308求调剂 +7 墨墨漠 2026-03-18 7/350 2026-03-20 05:55 by laoshidan
[考研] 296求调剂 +3 www_q 2026-03-18 6/300 2026-03-19 22:28 by zhq0425
[考研] 266求调剂 +5 阳阳哇塞 2026-03-14 10/500 2026-03-19 15:08 by 阳阳哇塞
[考研] 一志愿西安交通大学材料工程专业 282分求调剂 +5 枫桥ZL 2026-03-18 7/350 2026-03-19 14:52 by 功夫疯狂
[考研] 0817调剂 +3 没有答案_ 2026-03-14 3/150 2026-03-19 09:51 by Xu de nuo
[考研] 本科郑州大学物理学院,一志愿华科070200学硕,346求调剂 +4 我不是一根葱 2026-03-18 4/200 2026-03-19 09:11 by 浮云166
[考研] 0703化学调剂,求各位老师收留 +10 秋有木北 2026-03-14 10/500 2026-03-19 05:52 by anny19840123
[考研] 材料工程专硕调剂 +5 204818@lcx 2026-03-17 6/300 2026-03-18 22:55 by 204818@lcx
[考研] 一志愿华中科技大学,080502,354分求调剂 +4 守候夕阳CF 2026-03-18 4/200 2026-03-18 22:16 by li123456789.
[考研] 0703化学求调剂 总分331 +3 ZY-05 2026-03-13 3/150 2026-03-18 10:58 by macy2011
[考研] 277调剂 +5 自由煎饼果子 2026-03-16 6/300 2026-03-17 19:26 by 李leezz
[考研] 考研化学学硕调剂,一志愿985 +4 张vvvv 2026-03-15 6/300 2026-03-17 17:15 by ruiyingmiao
[考研] [导师推荐]西南科技大学国防/材料导师推荐 +3 尖角小荷 2026-03-16 6/300 2026-03-16 23:21 by 尖角小荷
[考研] 0854控制工程 359求调剂 可跨专业 +3 626776879 2026-03-14 9/450 2026-03-16 17:42 by 626776879
[考研] 304求调剂 +3 曼殊2266 2026-03-14 3/150 2026-03-16 16:39 by houyaoxu
[考研] 321求调剂 +5 大米饭! 2026-03-15 5/250 2026-03-16 16:33 by houyaoxu
[考研] 277材料科学与工程080500求调剂 +3 自由煎饼果子 2026-03-16 3/150 2026-03-16 14:10 by 运气yunqi
[考研] 0703化学调剂 290分有科研经历,论文在投 +7 腻腻gk 2026-03-14 7/350 2026-03-16 10:12 by houyaoxu
信息提示
请填处理意见