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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 材料区 » 微米和纳米 » 学术讨论 » 硅 湿法刻蚀 掩膜
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雨过天晴57

木虫 (初入文坛)

[求助] 硅 湿法刻蚀 掩膜

各位师兄师姐好，请问硅湿法刻蚀40微米深，用哪种材料做掩膜比较结实，不宜被腐蚀掉，谢谢，如果有，请提供刻蚀方法，我会追加金币的。
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1楼2012-09-28 18:19:39
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雨过天晴57

木虫 (初入文坛)
引用回帖:
2楼: Originally posted by yswyx at 2012-09-28 19:36:33
标准的是SiO＋SiN，先长氧化硅，要热氧的，然后再做LPCVD的SiN。主要起作用的是SiN，厚度要看你能找到的加工的水平，怎么也要3000A吧。腐蚀的方法很简单，KOH浓溶液加热到80度，速率自己摸。如果超净间不许进KOH，那 ...

再问一下，如果先长氧化硅，再氮化硅，光刻后该选择哪种方式将图案转移到这两层掩膜（也就是该怎么刻蚀这两种掩膜），才能进行最后KOH刻蚀硅。
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4楼2012-10-04 21:46:02
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yswyx

专家顾问 (著名写手)

【答案】应助回帖

感谢参与，应助指数 +1
标准的是SiO＋SiN，先长氧化硅，要热氧的，然后再做LPCVD的SiN。主要起作用的是SiN，厚度要看你能找到的加工的水平，怎么也要3000A吧。腐蚀的方法很简单，KOH浓溶液加热到80度，速率自己摸。如果超净间不许进KOH，那就用25％的TMAH。

其实如果你做的片子少，就没必要用腐蚀，因为LPCVD很贵的。我倒建议直接用光刻胶做掩蔽层，做ICP刻蚀，这样侧壁还陡直。
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2楼2012-09-28 19:36:33
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雨过天晴57

木虫 (初入文坛)
引用回帖:
2楼: Originally posted by yswyx at 2012-09-28 19:36:33
标准的是SiO＋SiN，先长氧化硅，要热氧的，然后再做LPCVD的SiN。主要起作用的是SiN，厚度要看你能找到的加工的水平，怎么也要3000A吧。腐蚀的方法很简单，KOH浓溶液加热到80度，速率自己摸。如果超净间不许进KOH，那 ...

多谢啦！
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3楼2012-10-04 21:40:22
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真空涨落

木虫 (小有名气)

【答案】应助回帖

他的意思是直接光刻，就不用掩膜啦，光刻胶来作掩膜。
也可以腐蚀两种掩膜，用缓冲氢氟酸

[ 发自手机版 http://muchong.com/3g ]
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物含妙理总堪寻
5楼2012-10-04 22:13:53
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