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新虫 (初入文坛)

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不懂。。。。。。。

2楼2012-02-19 20:55:32

kebaoyuan

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感谢参与，应助指数 +1
mjlyxm(金币+1): 感谢交流，非常期待您对工艺技术版更多的关注。O(∩_∩)O~ 2012-02-20 18:23:09

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3楼2012-02-19 23:59:39

kebaoyuan

禁言 (小有名气)

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4楼2012-02-20 00:01:22

大当家

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mjlyxm(金币+1): 鼓励交流~~O(∩_∩)O~ 2012-03-08 19:48:08

我以前磁控溅射做薄膜的时候也是用铝箔纸做掩膜的，温度还400多呢，也没有事啊，你可以问问他为什么不可以啊，再问下LZ你们用的PECVD是什么品牌啊？因为我做PECVD销售呵呵，了解下

美国MV-System公司PECVD(等离子增强化学气相沉积)系统能够沉积高质量SiN、SiO、SiO2薄膜、Si3N4 薄膜、非晶硅、碳化硅、太阳能材料、类金刚石、类金刚石薄膜、硬质薄膜、光学薄膜等多种薄膜材料和炭纳米管(CNT)等。可选用射频(RF)、空阴极高密度等离子体(HCD)源、感应耦合等离子体(ICP)源。该公司采用先进技术和稳定可靠的设计为您提供多方位的服务

5楼2012-03-08 16:43:57

quanten

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【答案】应助回帖

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3088: 金币+1, 鼓励参与交流,希望给工艺技术带来更多的交流帖子，o(∩_∩)o...！ 2012-06-27 16:44:52

PECVD 原则上不允许有金属污染，至于你说的掩模，个人认为不能用金属掩模板，工艺上是用光刻实现的

6楼2012-06-27 16:36:56

zzz1024604

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用硅片档不知道可不可以，我们做石英片工艺有时候就用硅片档，但你是硅片工艺，不知道可不可以。

7楼2012-08-17 10:58:27

冰蓝雨潇1314

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itsunami(zyz666888代发): 金币+2, 感谢应助！欢迎常来！ 2013-06-20 20:46:37

不知道你的工艺是怎么样的，但是，我做工艺时，都是做光刻，用光刻胶做掩膜，可将需要开窗口的地方刻蚀掉。

8楼2013-06-20 16:28:05

wangpeng1984

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我觉得你可以直接尝试PECVD沉积SiO2 10000A(此厚度不会看不清下面图形，因此可以进行光刻)，然后拿到光刻间做电极图形，最后采用BOE刻蚀，刻蚀时间2分30秒-2分45秒左右，但是如果你的电极采用了AL，可能会造成掉电极，你可以推拉力尝试是否掉电极。

9楼2014-03-11 14:50:03