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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 化学化工区 » 工艺技术 » 工艺设计 » 求助关于用PECVD在硅片上生长SiO2的掩膜材料
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itsunami

禁虫 (初入文坛)
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1楼 2012-02-18 17:25:40
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wangpeng1984

银虫 (初入文坛)
我觉得你可以直接尝试PECVD沉积SiO2 10000A(此厚度不会看不清下面图形，因此可以进行光刻)，然后拿到光刻间做电极图形，最后采用BOE刻蚀，刻蚀时间2分30秒-2分45秒左右，但是如果你的电极采用了AL，可能会造成掉电极，你可以推拉力尝试是否掉电极。
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9楼2014-03-11 14:50:03
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359528331

新虫 (初入文坛)
不懂。。。。。。。
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gg
2楼2012-02-19 20:55:32
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kebaoyuan

禁言 (小有名气)
感谢参与，应助指数 +1
mjlyxm(金币+1): 感谢交流，非常期待您对工艺技术版更多的关注。O(∩_∩)O~ 2012-02-20 18:23:09
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3楼2012-02-19 23:59:39
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kebaoyuan

禁言 (小有名气)
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4楼2012-02-20 00:01:22
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