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itsunami

禁虫 (初入文坛)

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359528331

新虫 (初入文坛)

不懂。。。。。。。
gg
2楼2012-02-19 20:55:32
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kebaoyuan

禁言 (小有名气)

感谢参与,应助指数 +1
mjlyxm(金币+1): 感谢交流,非常期待您对工艺技术版更多的关注。O(∩_∩)O~ 2012-02-20 18:23:09
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3楼2012-02-19 23:59:39
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kebaoyuan

禁言 (小有名气)

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4楼2012-02-20 00:01:22
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大当家

铜虫 (小有名气)



mjlyxm(金币+1): 鼓励交流~~O(∩_∩)O~ 2012-03-08 19:48:08
我以前磁控溅射做薄膜的时候也是用铝箔纸做掩膜的,温度还400多呢,也没有事啊,你可以问问他为什么不可以啊,再问下LZ你们用的PECVD是什么品牌啊?因为我做PECVD销售呵呵,了解下



美国MV-System公司PECVD(等离子增强化学气相沉积)系统能够沉积高质量SiN、SiO、SiO2薄膜、Si3N4 薄膜、非晶硅、碳化硅、太阳能材料、类金刚石、类金刚石薄膜、硬质薄膜、光学薄膜等多种薄膜材料 和炭纳米管(CNT)等。可选用射频(RF)、空阴极高密度等离子体(HCD)源、感应耦合等离子体(ICP)源。该公司采用先进技术和稳定可靠的设计为您提供多方位的服务
5楼2012-03-08 16:43:57
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quanten

金虫 (著名写手)

QQ群(NW-FET): 157220400


【答案】应助回帖


3088: 金币+1, 鼓励参与交流,希望给工艺技术带来更多的交流帖子,o(∩_∩)o...! 2012-06-27 16:44:52
PECVD 原则上不允许有金属污染,至于你说的掩模,个人认为不能用金属掩模板,工艺上是用光刻实现的
6楼2012-06-27 16:36:56
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zzz1024604

新虫 (初入文坛)

用硅片档不知道可不可以,我们做石英片工艺有时候就用硅片档,但你是硅片工艺,不知道可不可以。
7楼2012-08-17 10:58:27
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冰蓝雨潇1314

新虫 (初入文坛)

【答案】应助回帖

★ ★
itsunami(zyz666888代发): 金币+2, 感谢应助!欢迎常来! 2013-06-20 20:46:37
不知道你的工艺是怎么样的,但是,我做工艺时,都是做光刻,用光刻胶做掩膜,可将需要开窗口的地方刻蚀掉。
8楼2013-06-20 16:28:05
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wangpeng1984

银虫 (初入文坛)

我觉得你可以直接尝试PECVD沉积SiO2 10000A(此厚度不会看不清下面图形,因此可以进行光刻),然后拿到光刻间做电极图形,最后采用BOE刻蚀,刻蚀时间2分30秒-2分45秒左右,但是如果你的电极采用了AL,可能会造成掉电极,你可以推拉力尝试是否掉电极。
9楼2014-03-11 14:50:03
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