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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 化学化工区 » 工艺技术 » 工艺设计 » 求助关于用PECVD在硅片上生长SiO2的掩膜材料
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itsunami

禁虫 (初入文坛)
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1楼2012-02-18 17:25:40
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quanten

金虫 (著名写手)

QQ群(NW-FET): 157220400

【答案】应助回帖

★
3088: 金币+1, 鼓励参与交流,希望给工艺技术带来更多的交流帖子，o(∩_∩)o...！ 2012-06-27 16:44:52
PECVD 原则上不允许有金属污染，至于你说的掩模，个人认为不能用金属掩模板，工艺上是用光刻实现的
赞一下 回复此楼
6楼2012-06-27 16:36:56
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359528331

新虫 (初入文坛)
不懂。。。。。。。
回复此楼
gg
2楼2012-02-19 20:55:32
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kebaoyuan

禁言 (小有名气)
感谢参与，应助指数 +1
mjlyxm(金币+1): 感谢交流，非常期待您对工艺技术版更多的关注。O(∩_∩)O~ 2012-02-20 18:23:09
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3楼2012-02-19 23:59:39
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kebaoyuan

禁言 (小有名气)
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4楼2012-02-20 00:01:22
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