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ICP刻蚀侧壁陡直度 已有2人参与
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| 请问做ICP刻蚀研究的高手，二氧化硅线条刻蚀后的侧壁陡直度主要取决于哪些因素？我们实验室以前有一天ICP刻蚀机，腔室比较小，我们可以刻出侧面将近90度的侧壁，最近新换了一台腔室很大的ICP刻蚀机，下电极尺寸320mm，但是刻出来的氧化硅线条侧壁陡直度很差，我调了很多参数，包括上下电极功率，腔室压力，气体流量及配比，我们使用CHF3, Ar和O2，但发现陡直度改善很有限，不知道侧壁陡直度主要取决于什么因素？望高人指点，万分感激 |
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