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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 材料区 » 微米和纳米 » 微纳加工 » 二氧化硅RIE刻蚀
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罗军王

银虫 (初入文坛)

[求助] 二氧化硅RIE刻蚀 已有2人参与

我们有一台中科院的ME-3A型磁增强反应离子刻蚀机，现在刻蚀硅片已经对达到最优化，一分钟能达到600nm左右，但是对于石英只能几十纳米，所以跟大家交流一下刻蚀参数。我们目前使用的参数是：流量15，压强0.5Pa，功率100W，速率25nm/min
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多看多读多学习
1楼 2014-06-24 09:23:16
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zytsh

金虫 (小有名气)
引用回帖:
4楼: Originally posted by quanten at 2014-06-26 15:56:26
CHF3刻蚀SiO2
SF6刻蚀Si
调节H和F的比例控制刻蚀Si和SiO2的选择比

请问，刻蚀SiO2, 用CHF3和CF4的区别。
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6楼2014-09-22 11:18:31
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罗军王

银虫 (初入文坛)
怎么木有人呢
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多看多读多学习
3楼2014-06-26 15:35:54
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quanten

金虫 (著名写手)

QQ群(NW-FET): 157220400

【答案】应助回帖

感谢参与，应助指数 +1
CHF3刻蚀SiO2
SF6刻蚀Si
调节H和F的比例控制刻蚀Si和SiO2的选择比
赞一下 回复此楼
4楼2014-06-26 15:56:26
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罗军王

银虫 (初入文坛)
引用回帖:
4楼: Originally posted by quanten at 2014-06-26 15:56:26
CHF3刻蚀SiO2
SF6刻蚀Si
调节H和F的比例控制刻蚀Si和SiO2的选择比

那个你们刻蚀参数呢？刻蚀速率能到达多少？
赞一下 回复此楼
多看多读多学习
5楼2014-07-08 16:33:06
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