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MEMS技术刻蚀硅片，由于实验室条件简陋 已有2人参与
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MEMS技术刻蚀硅片，制备一悬臂梁结构的微加热器。由于实验室条件简陋，只能用一层SiO2作为悬臂梁的支撑梁。该支撑梁是在1000℃干氧Si片制备的，时间是36h。 我主要有两个问题：1，只用一层SiO2作为悬臂梁可行否。刻蚀Si是用的KOH刻蚀液（实验室条件有限，只有热蒸发跟磁控溅射）。因为我也知道从KOH刻蚀液中取出非常困难。 2，什么材料可以作为正面的掩膜抵挡KOH溶液的腐蚀（正面是用的Cr作为加热丝）。 3，还有没有更好的思路~~~~  |
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