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hui0087

木虫 (正式写手)

[求助] 光刻技术请教

各位虫友,最近刚刚学习光刻,却接连遭受失败的打击。仪器的曝光分辨率为5um,但是我曝光8um以及15um的圆孔阵列,却怎么也曝不出来,同样的条件曝光50um的阵列时却能够曝出来,用的是负胶,曝光时间为160s,显影时间为1.5min,具体的图片在附件(依次为50um,8um和15um),至今不明白到底是哪里出了问题?敢情各位虫友能够不吝赐教,指点迷津
50um



8um (图中尺寸标注不准确)



15um

[ Last edited by hui0087 on 2011-10-30 at 11:13 ]
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hui0087

木虫 (正式写手)

引用回帖:
6楼: Originally posted by dengailaoshu at 2011-10-31 08:35:55:
增加曝光时间!尺寸越小的pattern需要的曝光时间也是越长的!我也不知道是为什么,反正实验的结果上是这么个样子的!

我觉得应该是减少时间的吧,因为是负胶,减少曝光时间才能更好的去除涂胶的,呵呵
9楼2011-11-03 14:11:14
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adwph

银虫 (正式写手)

【答案】应助回帖

★
hui0087(金币+5): 谢谢你 2011-10-30 18:49:39
lchpy(金币+1): thanks for your information 2011-10-30 20:00:09
光刻图形的最小值不仅仅由曝光机的分辨本领决定的,尤其负胶-SU-8,还要考虑胶的厚度,也就是所谓的深宽比。如果深宽比很大,那么做起来就很难。再加上需要的线宽很小,比如8um。那就更难做了
需要多找些相关文献看看别人的试验结果。这个不能光靠仪器和材料的说明来搞
2楼2011-10-30 16:42:18
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hui0087

木虫 (正式写手)

引用回帖:
2楼: Originally posted by adwph at 2011-10-30 16:42:18:
光刻图形的最小值不仅仅由曝光机的分辨本领决定的,尤其负胶-SU-8,还要考虑胶的厚度,也就是所谓的深宽比。如果深宽比很大,那么做起来就很难。再加上需要的线宽很小,比如8um。那就更难做了
需要多找些相关文献 ...

我用的是负胶是AR-N-4340,转速达到了6000转/秒,理论上的厚度为1.1um左右,但是曝光时间达到了160s,应该是可以了,呵呵。
此外,请教一下线宽是指 i 线宽的光栅比较小吗?不好意思,刚开始学习,呵呵……
3楼2011-10-30 18:54:57
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maccaboy

至尊木虫 (著名写手)

【答案】应助回帖

★
hui0087(金币+2): 谢谢 2011-10-30 22:24:49
lchpy(金币+1): thanks for your information 2011-10-31 08:25:35
与你的光刻机类型也有关,  接触式? 还与图形也有关系,分辨率一般是指线条   你的图形是圆形哦。多个方面都有关系
4楼2011-10-30 20:45:57
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