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hui0087

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[求助] 光刻技术请教

各位虫友，最近刚刚学习光刻，却接连遭受失败的打击

。仪器的曝光分辨率为5um，但是我曝光8um以及15um的圆孔阵列，却怎么也曝不出来，同样的条件曝光50um的阵列时却能够曝出来，用的是负胶，曝光时间为160s，显影时间为1.5min，具体的图片在附件（依次为50um，8um和15um），至今不明白到底是哪里出了问题？敢情各位虫友能够不吝赐教，指点迷津
50um

8um (图中尺寸标注不准确)

15um

[ Last edited by hui0087 on 2011-10-30 at 11:13 ]

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1楼 2011-10-30 11:05:09

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adwph

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【答案】应助回帖

★
hui0087(金币+5): 谢谢你 2011-10-30 18:49:39
lchpy(金币+1): thanks for your information 2011-10-30 20:00:09

光刻图形的最小值不仅仅由曝光机的分辨本领决定的，尤其负胶-SU-8，还要考虑胶的厚度，也就是所谓的深宽比。如果深宽比很大，那么做起来就很难。再加上需要的线宽很小，比如8um。那就更难做了
需要多找些相关文献看看别人的试验结果。这个不能光靠仪器和材料的说明来搞

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2楼2011-10-30 16:42:18

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hui0087

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引用回帖:

2楼: Originally posted by adwph at 2011-10-30 16:42:18:
光刻图形的最小值不仅仅由曝光机的分辨本领决定的，尤其负胶-SU-8，还要考虑胶的厚度，也就是所谓的深宽比。如果深宽比很大，那么做起来就很难。再加上需要的线宽很小，比如8um。那就更难做了
需要多找些相关文献 ...

我用的是负胶是AR-N-4340，转速达到了6000转/秒，理论上的厚度为1.1um左右，但是曝光时间达到了160s，应该是可以了，呵呵。
此外，请教一下线宽是指 i 线宽的光栅比较小吗？不好意思，刚开始学习，呵呵……

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3楼2011-10-30 18:54:57

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