| 查看: 19489 | 回复: 15 | |||||||
[交流]
【交流】肖特基接触
|
|||||||
|
如果金属的功函大于n型半导体的功函，可以形成肖特基接触。 那么已知金属的功函和n型半导体的带隙，怎么比较二者功函的大小？ 文献中看到， Nb:STO 的band gap 为3.3 eV，那么它与Ti（功函为4.33eV)的接触为欧姆接触；与Au（功函为5.1eV）的接触为肖特基接触。 [ Last edited by sunxianwen on 2011-1-8 at 13:06 ] |
回复此楼» 收录本帖的淘帖专辑推荐
 合成（杂七杂八） | Analysis | 半导体物理方面 | 光催化 |
» 猜你喜欢
求调剂，一志愿 南京航空航天大学 ，080500材料科学与工程学硕，总分289分
已经有9人回复
-
材料科学与工程求调剂
已经有8人回复
-
一志愿大连理工大学材料求调剂
已经有3人回复
-
一志愿北化085600材料专硕275|有文章专利｜求调剂
已经有9人回复
-
材料求调剂 一志愿哈工大总分298分，前三科223分
已经有8人回复
-
274求调剂
已经有3人回复
-
合肥区域性重点一本招收调剂
已经有4人回复
-
085600材料与化工调剂
已经有10人回复
-
22408 359分调剂
已经有7人回复
-
抱歉
已经有4人回复
» 本主题相关价值贴推荐，对您同样有帮助:
- 肖特基缺陷的问题
已经有3人回复
- 大电流短路加热
已经有7人回复
- 制备ZnO肖特基接触与金属膜厚有关吗
已经有3人回复
- 什么是欧姆接触？
已经有5人回复
- 关于电极引出工艺
已经有5人回复
- 怎么用第一性原理计算的结果计算欧姆接触的肖特基势垒
已经有5人回复
- 求助 在做光阳极的时候怎样证明p型半导体薄膜与n型半导体薄膜之间形成了p-n异质结
已经有17人回复
- 请教金半接触 肖特基势垒的问题，多谢！
已经有11人回复
- 金属电极层是什么意思？
已经有7人回复
- 太阳能电池开路电压和短路电流都比较高，但填充因子低是怎么回事？
已经有20人回复
- 问一下半导体电子空穴对复合率和激发光透射率的关系
已经有4人回复
- 【求助】为什么本征半导体不能用于制备二极管
已经有9人回复
- 【请教】光电探测器与太阳能电池
已经有10人回复
- 【求助】半导体功函数
已经有20人回复
» 抢金币啦！回帖就可以得到:
-
【招聘】温州医科大学/附属医院/瓯江实验室李校堃院士团队诚聘博士后和科研人员
+1/184
-
天津科技大学生物质功能材料研究团队 硕士招生
+1/87
-
合肥工科211水利工程调剂招生
+1/53
-
五邑大学药学与食品工程学院 | 刘宇茸课题组 调剂招生
+5/45
-
【上海调剂急录】代码1007/1055/0806等速点！！上工程优质课题组，深造资源满格！
+1/44
-
广东省五邑大学光电催化团队接受研究生调剂
+1/35
-
沈阳农业大学生物与医药招收调剂生！！！！！！！！！！
+1/32
-
API项目寻求落地合作
+1/19
-
烟台大学精准材料高等研究院26年材料方向研究生招生
+1/8
-
欢迎来英国拉夫堡大学交流-结晶，蛋白质，AI，水处理等
+1/7
-
江西科技师范大学 材料与能源招收调剂研究生
+1/7
-
招生材料与化工、环境科学调剂研究生
+1/5
-
NTU招聘生物微机电系统/微流控/3D打印/可穿戴器件方向全奖博士
+1/5
-
211/双一流---石河子大学---有机化学方向招调剂生
+1/4
-
武汉纺织大学招收硕士研究生调剂
+1/3
-
湖北师范大学 材料科学与工程学院接收2026考研调剂
+1/3
-
2026年-教育部重点实验室招收化学、材料、机械、智能制造、人工智能等相关方向研究生
+1/3
-
调剂来这边
+1/3
-
各种IgG抗体表达系统
+1/2
-
浙江大学国际健康医学研究院招聘科研助理
+1/2
★
sunxianwen(金币+1):谢谢参与
夕阳西下: 功函数对本征半导体与掺杂半导体而言，随杂质浓度的变化稍微有些差别。功函数是可以测得的。另外，你说的金属与半导体接触时没说清楚是谁的功函数大，所以应该有两种情况。电子从半导体流向金属时受到的势垒减小，电子从半导体到金属的热发射超过金属到半导体的热发射，这句话怎么理解感觉有点问题，既然势垒小，怎么会热发射大呢？而接反向电压时，形成金属到半导体的弱电流，为什么？为什么不是形成半导体到金属的弱电流呢？ 2011-03-31 17:26:49
sunxianwen(金币+3): 2011-04-01 08:57:47
sunxianwen(金币+1):谢谢参与
夕阳西下: 功函数对本征半导体与掺杂半导体而言，随杂质浓度的变化稍微有些差别。功函数是可以测得的。另外，你说的金属与半导体接触时没说清楚是谁的功函数大，所以应该有两种情况。电子从半导体流向金属时受到的势垒减小，电子从半导体到金属的热发射超过金属到半导体的热发射，这句话怎么理解感觉有点问题，既然势垒小，怎么会热发射大呢？而接反向电压时，形成金属到半导体的弱电流，为什么？为什么不是形成半导体到金属的弱电流呢？ 2011-03-31 17:26:49
sunxianwen(金币+3): 2011-04-01 08:57:47
|
这个问题我感觉有点奇怪  work function是由费米能级决定的，费米能级越高，功函越低，反之越高。金属的费米能级一般是固定的，掺杂半导体的费米能级不是固定的，受掺杂浓度影响，一般的N掺杂费米能级在本征能级之上，导带之下，但是对N+掺杂费米能级可以在导带之内。即使知道了带隙，还是不知道导带，价带已经费米能级位置，所以还是不知道N型半导体的功函，除了实验去测或者理论计算还怎么比较呢？ 肖特基接触是因为金属和半导体接触，半导体的能带发生弯曲，使金属和半导体费米能级一致。以金属-N型接触为例，能带弯曲的结果使接正向偏压（金属接+，N半导体接-）时，电子从半导体流向金属时受到的势垒减小，电子从半导体到金属的热发射超过金属到半导体的热发射，即形成从金属到半导体的净电流，偏压越大，电流越强，表现为导通；而接反向电压时，N半导体流向金属的势垒增大，电子从半导体到金属的热发射小于金属到半导体的热发射，形成金属到半导体的弱电流，电流基本不受偏压影响，只受金属的功函影响，所以电流小且恒定，表现为反向电阻大。类似于PN结单向导电一样，不过肖特基势垒是热发射主导的。 欧姆接触是因为半导体掺杂浓度高，电荷区宽度变小，势垒变弱，隧道电流增强，隧道电流导电，表现为小电阻。 看看黄昆的半导体物理吧，写的很清楚  |
11楼2011-03-31 16:03:13
12楼2011-03-31 16:06:34
夕阳西下: 本来这些就是书上的内容，简单的问题让你描述的这么复杂。加外正向电压，势垒变窄，自然是正向电流，反之，反向电压势垒变宽，反向电流饱和达到一个定值。 2011-03-31 22:27:43
sunxianwen(金币+5): 2011-04-01 08:56:56
sunxianwen(金币+5): 2011-04-01 08:56:56
额。。。通常是N掺杂的费米能级比金属的低，P掺杂的费米能级比金属的高（通常），造成金属和N型半导体接触时半导体能带向上弯曲；而金属和P半导体接触时，半导体能带向下弯曲。接触时两者费米能级相等。功函大小我是说可以测得的，也可以计算得到。 至于热发射的问题它是与平衡状态比较的，肖特基势垒在平衡时，从金属到半导体热发射的电子与半导体到金属热发射的电子相等，是净电流为0的一个动态过程。当金属-N半导体接正向电压时，半导体一侧电子移向半导体表面受到的势垒减小，热发射几率增大，平衡被打破，造成半导体热发射到金属一侧的电子多于金属热发射到半导体一侧的电子，显示为金属到半导体的净电流，随着正向偏压增大，界面处电子浓度成指数级增长。而接反向电流时，半导体一侧电子移向半导体表面受到的势垒增大，热发射的几率减小，平衡被打破，造成金属热发射到半导体一侧的电子比半导体发射到金属一侧的电子多，显示为半导体到金属的净电流，但是这个电流和金属侧的势垒有关系（可近似看做只与金属的功函有关系），与所加偏压大小没有多大联系（以上都有理论计算的），表现为电流饱和。  你是把金属一侧的势垒和半导体表面的势垒混为一谈了，见图。φm是金属一侧的势垒，q(VD-Vf)是正向偏压时半导体一侧的势垒，q(VD+Vr)是加反向偏压时半导体一侧电子从体相移动到表面处所受的势垒。 类似于PN结啦，接正向偏压时电流随电压增大而显著增大；接反向偏压时，电流基本饱和，不随偏压变化。 具体请参考黄老的《半导体物理基础》1979版198页半导体-金属接触这一节  [ Last edited by 鹰羽龙 on 2011-3-31 at 18:08 ] |
13楼2011-03-31 18:02:17
14楼2011-03-31 18:03:25
2楼2011-01-08 14:03:35
3楼2011-01-08 17:35:13
4楼2011-01-08 17:38:34
5楼2011-01-08 17:41:42
6楼2011-01-08 18:28:00
7楼2011-01-09 16:18:36
8楼2011-01-09 16:57:38
★
sunxianwen(金币+1):谢谢参与
sunxianwen(金币+1):谢谢参与
|
本帖内容被屏蔽 |
9楼2011-01-11 13:35:58
10楼2011-03-31 15:00:23
15楼2011-04-01 08:59:47
16楼2015-03-18 11:06:56
