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sunxianwen

银虫 (正式写手)

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[交流] 【交流】肖特基接触

如果金属的功函大于n型半导体的功函，可以形成肖特基接触。
那么已知金属的功函和n型半导体的带隙，怎么比较二者功函的大小？

文献中看到， Nb:STO 的band gap 为3.3 eV，那么它与Ti（功函为4.33eV)的接触为欧姆接触；与Au（功函为5.1eV）的接触为肖特基接触。

[ Last edited by sunxianwen on 2011-1-8 at 13:06 ]

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1楼2011-01-08 10:06:46

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ljx3324

新虫 (小有名气)

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引用回帖:

9楼: Originally posted by windblue at 2011-01-11 13:35:58
在金属和半导体的界面增加有机分子层，相对应的界面势垒也会发生改变。此时仍然可以用肖特基势垒及欧姆接触来描述吗？...

同样的疑问，金属与有机半导体界面之间会有Schotty势垒吗？

16楼2015-03-18 11:06:56

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