应《网络安全法》要求，自2017年10月1日起，未进行实名认证将不得使用互联网跟帖服务。为保障您的帐号能够正常使用，请尽快对帐号进行手机号验证，感谢您的理解与支持！

24小时热门版块排行榜    

小木虫论坛-学术科研互动平台 » 材料区 » 功能材料 » 基础研究 » 【求助】为什么本征半导体不能用于制备二极管
101/1返回列表
查看: 3275  |  回复: 9
只看楼主 @他人 存档 新回复提醒 (忽略) 收藏    在APP中查看

luolin

金虫 (正式写手)

[交流] 【求助】为什么本征半导体不能用于制备二极管

为什么本征半导体不能用于制备二极管？
我查找了一些资料，发现最确切的解释是能带的任意弯曲将在本征半导体表面出现富集层，而不是耗尽层，因而本征半导体不能用于制备二极管。
但是，为什么能带的弯曲会在本征半导体表面出现富集层，而不是耗尽层呢？而能带的弯曲能在非本征半导体表面出现耗尽层？能带的弯曲对于本征半导体、非本征半导体出现这样的差别，又应该怎么理解呢？

其中，仅仅按照论文中的实际器件，具体是指本征半导体和金属不能形成肖特基二极管。

希望，哪位牛人指点一下？最好能告诉我在具体哪一本书的哪些页能找到相关的解释?我用读秀学术搜索和google搜索，都没有找到需要的东西，可能是我的搜索能力还很缺乏。
谢谢大家！
请大家不要将金属与半导体的接触相混淆。“能带的任意弯曲将在本征半导体表面出现富集层，而不是耗尽层，因而本征半导体不能用于制备二极管。”这一说法，并没有任何前提条件，也就是不管你的功函数怎么样，这一结论都成立。

我有个新的想法，不知道能否解释这个现象。
本征半导体，或者近似本征的半导体，其多数载流子浓度与少数载流子浓度接近，多数载流子浓度较低。
一个近似本征导电的n型半导体，其与金属接触，且金属的功函数大于半导体的功函数。两者相接触，半导体中的电子将向金属流动，使金属表面带负电，半导体表面带正电，从而使得金属与半导体的费米能级逐渐接近，直到金属与半导体的费米能级相同。近似本征导电的n型半导体其电子浓度低，即使半导体中的电子全跑到金属中，仍不能使金属与半导体的费米能级相同，从而导致半导体内部的空穴也向界面移动，以减少半导体的费米能级，从而导致与金属接触的半导体近表面空穴浓度很高，富集空穴。所以能带的任意弯曲将在本征半导体表面出现富集层，而不是耗尽层。

[ Last edited by luolin on 2011-2-23 at 17:10 ]
回复此楼

» 猜你喜欢

» 本主题相关价值贴推荐，对您同样有帮助:

» 抢金币啦！回帖就可以得到:

查看全部散金贴
1楼 2011-02-10 20:33:39
已阅   回复此楼   关注TA 给TA发消息 送TA红花 TA的回帖

筝筝日上

银虫 (著名写手)

不好意思，本来想抢沙发，沙发没抢到，却占了个前排
赞一下 回复此楼
2楼2011-02-10 20:49:53
已阅   回复此楼   关注TA 给TA发消息 送TA红花 TA的回帖

cord

铁杆木虫 (著名写手)
★
lpszk(金币+1): 谢谢你的回答 2011-02-11 16:41:10
luolin(金币+1): 虽然与我的要求不一样，但是仍谢谢您的回答。 2011-02-14 16:22:16
半导体表面能带弯曲，出现富集层还是出现好尽层取决于跟它接触的材料的功函数跟这个半导体势能的高低比值，请参考半导体类书籍，会有详细的介绍。
二极管的概念很广，太阳电池其实就是个二极管，LDE也是二极管，光敏器件也是二极管一种，本征半导体在它们中使用。
赞一下(1人) 回复此楼
3楼2011-02-11 01:12:47
已阅   回复此楼   关注TA 给TA发消息 送TA红花 TA的回帖

sichli

至尊木虫 (文坛精英)
引用回帖:
Originally posted by cord at 2011-02-11 01:12:47:
半导体表面能带弯曲，出现富集层还是出现好尽层取决于跟它接触的材料的功函数跟这个半导体势能的高低比值，请参考半导体类书籍，会有详细的介绍。
二极管的概念很广，太阳电池其实就是个二极管，LDE也是二极管， ...

同意这个说法！
回复此楼
4楼2011-02-11 21:37:18
已阅   回复此楼   关注TA 给TA发消息 送TA红花 TA的回帖

luolin

金虫 (正式写手)
引用回帖:
Originally posted by cord at 2011-02-11 01:12:47:
半导体表面能带弯曲，出现富集层还是出现好尽层取决于跟它接触的材料的功函数跟这个半导体势能的高低比值，请参考半导体类书籍，会有详细的介绍。
二极管的概念很广，太阳电池其实就是个二极管，LDE也是二极管， ...

谢谢您的回答。
你的这个解释适合于说明金属与半导体接触，是出现富集层，还是出现耗尽层，也就是欧姆接触与肖特基接触。
“能带的任意弯曲将在本征半导体表面出现富集层，而不是耗尽层，因而本征半导体不能用于制备二极管。”这一说法，并没有任何前提条件，也就是不管你的功函数怎么样，这一结论都成立。

[ Last edited by luolin on 2011-2-14 at 16:21 ]
赞一下 回复此楼
5楼2011-02-14 16:17:43
已阅   回复此楼   关注TA 给TA发消息 送TA红花 TA的回帖

cord

铁杆木虫 (著名写手)
无语...........
赞一下 回复此楼
6楼2011-02-14 23:05:23
已阅   回复此楼   关注TA 给TA发消息 送TA红花 TA的回帖

Luvin

金虫 (初入文坛)
luolin(金币+1): 谢谢交流 2011-02-20 10:39:14
本征半导体是完全纯净的、结构完整的半导体材料。在本征半导体中加入微量杂质，根据掺入杂质性质不同，可分为N型半导体和P型半导体。在同一块本征半导体的左右两个区域分别制作N型和P型半导体，经过载流子的扩散，在它们的交界面处就会形成耗尽层，即PN结，这样才可以制备二极管。因此，本征半导体是不能制备二极管的。
赞一下 回复此楼
7楼2011-02-17 10:34:40
已阅   回复此楼   关注TA 给TA发消息 送TA红花 TA的回帖

userhung

禁虫 (文学泰斗)
luolin(金币+1): 谢谢交流。但是我在你给的文档中没有找到相关的内容。 2011-02-20 11:01:51
http://wenku.baidu.com/view/e08e70bfc77da26925c5b04c.html
赞一下 回复此楼
8楼2011-02-17 11:38:03
已阅   回复此楼   关注TA 给TA发消息 送TA红花 TA的回帖

luolin

金虫 (正式写手)
引用回帖:
Originally posted by Luvin at 2011-02-17 02:34:40:
本征半导体是完全纯净的、结构完整的半导体材料。在本征半导体中加入微量杂质，根据掺入杂质性质不同，可分为N型半导体和P型半导体。在同一块本征半导体的左右两个区域分别制作N型和P型半导体，经过载流子的扩散， ...

这是很狭义的二极管概念，也被称为同质结。
而一般说的二极管包括同质结，异质结，肖特基结等二极管。
本征半导体事实上是不存在的，但是现实中有很多半导体是近似于本征半导体的，所以就有了研究的意义了。
赞一下 回复此楼
9楼2011-02-20 10:42:49
已阅   回复此楼   关注TA 给TA发消息 送TA红花 TA的回帖

xikerui2008

新虫 (小有名气)
luolin(金币+1): 谢谢交流。但是能否告诉我大概在哪一节。我在刘恩科第七版的半导体物理学中第6章pn结、第七章金属和半导体的接触 里面没有找到相关内容。 2011-02-22 14:43:27

通俗的说本征半导体的结构没有破坏，杂志少！没有单向导电性！不能制作二极管！具体的可以到刘科恩的半导体物理看看！
赞一下 回复此楼
10楼2011-02-21 21:59:35
已阅   回复此楼   关注TA 给TA发消息 送TA红花 TA的回帖
相关版块跳转 我要订阅楼主 luolin 的主题更新
101/1返回列表
普通表情 龙 兔 虎 猫 高级回复 (可上传附件)
信息提示
关闭
请填处理意见
关闭