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[交流]
【求助】为什么本征半导体不能用于制备二极管
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为什么本征半导体不能用于制备二极管？ 我查找了一些资料，发现最确切的解释是能带的任意弯曲将在本征半导体表面出现富集层，而不是耗尽层，因而本征半导体不能用于制备二极管。 但是，为什么能带的弯曲会在本征半导体表面出现富集层，而不是耗尽层呢？而能带的弯曲能在非本征半导体表面出现耗尽层？能带的弯曲对于本征半导体、非本征半导体出现这样的差别，又应该怎么理解呢？ 其中，仅仅按照论文中的实际器件，具体是指本征半导体和金属不能形成肖特基二极管。 希望，哪位牛人指点一下？最好能告诉我在具体哪一本书的哪些页能找到相关的解释?我用读秀学术搜索和google搜索，都没有找到需要的东西，可能是我的搜索能力还很缺乏。 谢谢大家！ 请大家不要将金属与半导体的接触相混淆。“能带的任意弯曲将在本征半导体表面出现富集层，而不是耗尽层，因而本征半导体不能用于制备二极管。”这一说法，并没有任何前提条件，也就是不管你的功函数怎么样，这一结论都成立。 我有个新的想法，不知道能否解释这个现象。 本征半导体，或者近似本征的半导体，其多数载流子浓度与少数载流子浓度接近，多数载流子浓度较低。 一个近似本征导电的n型半导体，其与金属接触，且金属的功函数大于半导体的功函数。两者相接触，半导体中的电子将向金属流动，使金属表面带负电，半导体表面带正电，从而使得金属与半导体的费米能级逐渐接近，直到金属与半导体的费米能级相同。近似本征导电的n型半导体其电子浓度低，即使半导体中的电子全跑到金属中，仍不能使金属与半导体的费米能级相同，从而导致半导体内部的空穴也向界面移动，以减少半导体的费米能级，从而导致与金属接触的半导体近表面空穴浓度很高，富集空穴。所以能带的任意弯曲将在本征半导体表面出现富集层，而不是耗尽层。 [ Last edited by luolin on 2011-2-23 at 17:10 ] |
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