| 查看: 3224 | 回复: 9 | |||
| 当前只显示满足指定条件的回帖，点击这里查看本话题的所有回帖 | |||
[交流]
【求助】为什么本征半导体不能用于制备二极管
|
|||
|
为什么本征半导体不能用于制备二极管？ 我查找了一些资料，发现最确切的解释是能带的任意弯曲将在本征半导体表面出现富集层，而不是耗尽层，因而本征半导体不能用于制备二极管。 但是，为什么能带的弯曲会在本征半导体表面出现富集层，而不是耗尽层呢？而能带的弯曲能在非本征半导体表面出现耗尽层？能带的弯曲对于本征半导体、非本征半导体出现这样的差别，又应该怎么理解呢？ 其中，仅仅按照论文中的实际器件，具体是指本征半导体和金属不能形成肖特基二极管。 希望，哪位牛人指点一下？最好能告诉我在具体哪一本书的哪些页能找到相关的解释?我用读秀学术搜索和google搜索，都没有找到需要的东西，可能是我的搜索能力还很缺乏。 谢谢大家！ 请大家不要将金属与半导体的接触相混淆。“能带的任意弯曲将在本征半导体表面出现富集层，而不是耗尽层，因而本征半导体不能用于制备二极管。”这一说法，并没有任何前提条件，也就是不管你的功函数怎么样，这一结论都成立。 我有个新的想法，不知道能否解释这个现象。 本征半导体，或者近似本征的半导体，其多数载流子浓度与少数载流子浓度接近，多数载流子浓度较低。 一个近似本征导电的n型半导体，其与金属接触，且金属的功函数大于半导体的功函数。两者相接触，半导体中的电子将向金属流动，使金属表面带负电，半导体表面带正电，从而使得金属与半导体的费米能级逐渐接近，直到金属与半导体的费米能级相同。近似本征导电的n型半导体其电子浓度低，即使半导体中的电子全跑到金属中，仍不能使金属与半导体的费米能级相同，从而导致半导体内部的空穴也向界面移动，以减少半导体的费米能级，从而导致与金属接触的半导体近表面空穴浓度很高，富集空穴。所以能带的任意弯曲将在本征半导体表面出现富集层，而不是耗尽层。 [ Last edited by luolin on 2011-2-23 at 17:10 ] |
回复此楼» 猜你喜欢
科研孤儿太难了
已经有19人回复
-
能否退出参与的面上项目解除限项
已经有9人回复
-
明天应该可查了！？
已经有4人回复
-
什么时候开奖？
已经有11人回复
-
范进中举一文的中心思想
已经有6人回复
-
建议基金发布提前给出明确的时间点
已经有14人回复
-
2026国自然函评费到账
已经有17人回复
-
让我中一个面上吧！
已经有15人回复
-
2026年的国家社科基金项目通讯评审的新规则与新动向、新挑战
已经有5人回复
-
跳槽后在研项目怎么办？
已经有10人回复
» 本主题相关价值贴推荐，对您同样有帮助:
- 关于可用于保健食品的物品是不允许用于普通食品的一些疑惑
已经有11人回复
- 半导体薄膜异质结制备要求
已经有8人回复
- 本征半导体费米能级是否随温度变化二改变？
已经有7人回复
- 半导体器件-发光二极管和太阳能电池-相关经验交流
已经有5人回复
- 【求助】本征硅薄膜电极制备
已经有12人回复
- 半导体集成电路中二极管特性研究
已经有1人回复
- 【交流】请大家介绍一本无机化学教材
已经有13人回复
» 抢金币啦！回帖就可以得到:
-
散金祈福
+5/3945
-
散金祈福
+5/1055
-
基金祈福
+1/959
-
面上第三年申请，改了一遍又一遍，希望能中啊！散金祈福！！！
+5/315
-
诚征另一半
+1/168
-
五大联赛看好哪支球队
+5/160
-
坐标北京诚征男友
+1/112
-
上海交通大学张航课题组招聘博士后（电化学储能）
+1/89
-
美国University of Texas at Arlington土木结构工程方向2027年春季全奖博士招生
+1/84
-
中国药科大学博士，博后招聘（高分子，金属有机方向），欢迎大家交流推荐
+1/81
-
哈尔滨工业大学（校本部）电子与信息工程学院2027级博士招生
+1/63
-
面上基金祈福
+1/42
-
瑞典-博后-固态电池-粘结剂-锂离子电池方向
+1/33
-
南京理工大学优青团队催化化学方向招收推免研究生
+1/22
-
流放岭南浮肿了求救
+1/19
-
上海交通大学化学化工学院倪伟焱课题组招收2027年申请考核制博士生（电催化+高分子）
+1/12
-
北理工集成电路杰青团队 | 诚招科助理
+1/10
-
pcold 原核表达载体
+1/8
-
祈祷老公中国基
+1/4
-
清华大学环境课题组招聘环境工作专业客座生研究生2-3名（应用导向）
+1/1
4楼2011-02-11 21:37:18
2楼2011-02-10 20:49:53
3楼2011-02-11 01:12:47
5楼2011-02-14 16:17:43
