| 查看: 19781 | 回复: 15 | |||||||
[交流]
【交流】肖特基接触
|
|||||||
|
如果金属的功函大于n型半导体的功函，可以形成肖特基接触。 那么已知金属的功函和n型半导体的带隙，怎么比较二者功函的大小？ 文献中看到， Nb:STO 的band gap 为3.3 eV，那么它与Ti（功函为4.33eV)的接触为欧姆接触；与Au（功函为5.1eV）的接触为肖特基接触。 [ Last edited by sunxianwen on 2011-1-8 at 13:06 ] |
回复此楼» 收录本帖的淘帖专辑推荐
 合成（杂七杂八） | Analysis | 半导体物理方面 | 光催化 |
» 猜你喜欢
某211大学教师把个人教师官方主页改成:我跑了我跑了我跑了!官宣跑路！
已经有6人回复
-
博士申请
已经有4人回复
-
西安交大新媒学院副院长用撤稿论文结题
已经有7人回复
-
论文撤稿了
已经有9人回复
-
青B发送上会通知了吗
已经有10人回复
-
化学专业申博
已经有5人回复
-
招收2026级博士生
已经有5人回复
-
宿州学院学报
已经有3人回复
-
4,4二甲基联苯干啥用，有懂得吗
已经有3人回复
-
医学类期刊求推荐
已经有6人回复
» 本主题相关价值贴推荐，对您同样有帮助:
- 肖特基缺陷的问题
已经有3人回复
- 大电流短路加热
已经有7人回复
- 制备ZnO肖特基接触与金属膜厚有关吗
已经有3人回复
- 什么是欧姆接触？
已经有5人回复
- 关于电极引出工艺
已经有5人回复
- 怎么用第一性原理计算的结果计算欧姆接触的肖特基势垒
已经有5人回复
- 求助 在做光阳极的时候怎样证明p型半导体薄膜与n型半导体薄膜之间形成了p-n异质结
已经有17人回复
- 请教金半接触 肖特基势垒的问题，多谢！
已经有11人回复
- 金属电极层是什么意思？
已经有7人回复
- 太阳能电池开路电压和短路电流都比较高，但填充因子低是怎么回事？
已经有20人回复
- 问一下半导体电子空穴对复合率和激发光透射率的关系
已经有4人回复
- 【求助】为什么本征半导体不能用于制备二极管
已经有9人回复
- 【请教】光电探测器与太阳能电池
已经有10人回复
- 【求助】半导体功函数
已经有20人回复
» 抢金币啦！回帖就可以得到:
-
广西锰资源高值化利用重点实验室 2026年博士人才招聘通告
+1/953
-
公众号有偿招募推文
+1/482
-
西安电子科技大学保研挑战高速IP设计NVMe，RDMA及NVMe-oF
+1/283
-
华南师范大学海洋环境科学课题组招聘青年英才和博士后
+2/170
-
薄膜断层光谱仪，看透薄膜内部！🔍
+1/88
-
兰州新区化工产业招商引资
+1/79
-
真诚才是必杀技
+1/67
-
坐标广州
+2/58
-
【通知】北京信息科技大学仪器科学与光电工程学院招收博士研究生（2026）
+2/50
-
山东大学量子成像团队招收2026年秋季入学博士生
+2/30
-
山东大学量子成像团队招收2026年秋季入学博士生
+2/14
-
【截止2026年5月31日】石家庄铁道大学智能交通课题组诚招理工科背景博士
+1/12
-
电子科技大学材料学院SFT创新中心招收准备考硕和读博的科研助理 理工医交叉方向
+1/12
-
西安交通大学陕西省科技创新团队招聘2027年免试保送生和考研生，2-4个名额
+1/10
-
哪位大神能使用lammps软件的reaxff力场计算煤和塑料热解的分子动力学，有偿
+1/9
-
招聘青年教师（有编制）——南京邮电大学柔性电子全国重点实验室徐申课题组
+1/9
-
【有偿访谈招募】高才通来港后，你过得还好吗？
+1/4
-
求助专利一篇，谢谢
+1/3
-
北航杭州国际校区招聘3D 打印，陶瓷，力学等方向博士后
+1/1
-
易度质量流量计在微孔加工流通性测试中的应用
+1/1
★
sunxianwen(金币+1):谢谢参与
夕阳西下: 功函数对本征半导体与掺杂半导体而言，随杂质浓度的变化稍微有些差别。功函数是可以测得的。另外，你说的金属与半导体接触时没说清楚是谁的功函数大，所以应该有两种情况。电子从半导体流向金属时受到的势垒减小，电子从半导体到金属的热发射超过金属到半导体的热发射，这句话怎么理解感觉有点问题，既然势垒小，怎么会热发射大呢？而接反向电压时，形成金属到半导体的弱电流，为什么？为什么不是形成半导体到金属的弱电流呢？ 2011-03-31 17:26:49
sunxianwen(金币+3): 2011-04-01 08:57:47
sunxianwen(金币+1):谢谢参与
夕阳西下: 功函数对本征半导体与掺杂半导体而言，随杂质浓度的变化稍微有些差别。功函数是可以测得的。另外，你说的金属与半导体接触时没说清楚是谁的功函数大，所以应该有两种情况。电子从半导体流向金属时受到的势垒减小，电子从半导体到金属的热发射超过金属到半导体的热发射，这句话怎么理解感觉有点问题，既然势垒小，怎么会热发射大呢？而接反向电压时，形成金属到半导体的弱电流，为什么？为什么不是形成半导体到金属的弱电流呢？ 2011-03-31 17:26:49
sunxianwen(金币+3): 2011-04-01 08:57:47
|
这个问题我感觉有点奇怪  work function是由费米能级决定的，费米能级越高，功函越低，反之越高。金属的费米能级一般是固定的，掺杂半导体的费米能级不是固定的，受掺杂浓度影响，一般的N掺杂费米能级在本征能级之上，导带之下，但是对N+掺杂费米能级可以在导带之内。即使知道了带隙，还是不知道导带，价带已经费米能级位置，所以还是不知道N型半导体的功函，除了实验去测或者理论计算还怎么比较呢？ 肖特基接触是因为金属和半导体接触，半导体的能带发生弯曲，使金属和半导体费米能级一致。以金属-N型接触为例，能带弯曲的结果使接正向偏压（金属接+，N半导体接-）时，电子从半导体流向金属时受到的势垒减小，电子从半导体到金属的热发射超过金属到半导体的热发射，即形成从金属到半导体的净电流，偏压越大，电流越强，表现为导通；而接反向电压时，N半导体流向金属的势垒增大，电子从半导体到金属的热发射小于金属到半导体的热发射，形成金属到半导体的弱电流，电流基本不受偏压影响，只受金属的功函影响，所以电流小且恒定，表现为反向电阻大。类似于PN结单向导电一样，不过肖特基势垒是热发射主导的。 欧姆接触是因为半导体掺杂浓度高，电荷区宽度变小，势垒变弱，隧道电流增强，隧道电流导电，表现为小电阻。 看看黄昆的半导体物理吧，写的很清楚  |
11楼2011-03-31 16:03:13
12楼2011-03-31 16:06:34
夕阳西下: 本来这些就是书上的内容，简单的问题让你描述的这么复杂。加外正向电压，势垒变窄，自然是正向电流，反之，反向电压势垒变宽，反向电流饱和达到一个定值。 2011-03-31 22:27:43
sunxianwen(金币+5): 2011-04-01 08:56:56
sunxianwen(金币+5): 2011-04-01 08:56:56
额。。。通常是N掺杂的费米能级比金属的低，P掺杂的费米能级比金属的高（通常），造成金属和N型半导体接触时半导体能带向上弯曲；而金属和P半导体接触时，半导体能带向下弯曲。接触时两者费米能级相等。功函大小我是说可以测得的，也可以计算得到。 至于热发射的问题它是与平衡状态比较的，肖特基势垒在平衡时，从金属到半导体热发射的电子与半导体到金属热发射的电子相等，是净电流为0的一个动态过程。当金属-N半导体接正向电压时，半导体一侧电子移向半导体表面受到的势垒减小，热发射几率增大，平衡被打破，造成半导体热发射到金属一侧的电子多于金属热发射到半导体一侧的电子，显示为金属到半导体的净电流，随着正向偏压增大，界面处电子浓度成指数级增长。而接反向电流时，半导体一侧电子移向半导体表面受到的势垒增大，热发射的几率减小，平衡被打破，造成金属热发射到半导体一侧的电子比半导体发射到金属一侧的电子多，显示为半导体到金属的净电流，但是这个电流和金属侧的势垒有关系（可近似看做只与金属的功函有关系），与所加偏压大小没有多大联系（以上都有理论计算的），表现为电流饱和。  你是把金属一侧的势垒和半导体表面的势垒混为一谈了，见图。φm是金属一侧的势垒，q(VD-Vf)是正向偏压时半导体一侧的势垒，q(VD+Vr)是加反向偏压时半导体一侧电子从体相移动到表面处所受的势垒。 类似于PN结啦，接正向偏压时电流随电压增大而显著增大；接反向偏压时，电流基本饱和，不随偏压变化。 具体请参考黄老的《半导体物理基础》1979版198页半导体-金属接触这一节  [ Last edited by 鹰羽龙 on 2011-3-31 at 18:08 ] |
13楼2011-03-31 18:02:17
14楼2011-03-31 18:03:25
2楼2011-01-08 14:03:35
3楼2011-01-08 17:35:13
4楼2011-01-08 17:38:34
5楼2011-01-08 17:41:42
6楼2011-01-08 18:28:00
7楼2011-01-09 16:18:36
8楼2011-01-09 16:57:38
★
sunxianwen(金币+1):谢谢参与
sunxianwen(金币+1):谢谢参与
|
本帖内容被屏蔽 |
9楼2011-01-11 13:35:58
10楼2011-03-31 15:00:23
15楼2011-04-01 08:59:47
16楼2015-03-18 11:06:56