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【交流】肖特基接触
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sunxianwen
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虫号: 651676
[交流]
【交流】肖特基接触
如果金属的功函大于n型半导体的功函,可以形成肖特基接触。
那么已知金属的功函和n型半导体的带隙,怎么比较二者功函的大小?
文献中看到, Nb:STO 的band gap 为3.3 eV,那么它与Ti(功函为4.33eV)的接触为欧姆接触;与Au(功函为5.1eV)的接触为肖特基接触。
[
Last edited by sunxianwen on 2011-1-8 at 13:06
]
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2011-01-08 10:06:46
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恩,补充一下,如果知道这个N半导体掺杂浓度的话,可以参考文献,了解价带,导带以及费米能级位置,然后与金属的费米能级比较,可以给出一个定性值。
写了这么多,希望能拿个EPI
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12楼
2011-03-31 16:06:34
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cz.87101
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★
sunxianwen(金币
+1
):谢谢参与
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2楼
2011-01-08 14:03:35
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liuy1235
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★
sunxianwen(金币
+1
):谢谢参与
sunxianwen(金币+1): 2011-01-09 16:56:07
要知道真空静止电子能量E0和半导体的费米能级就可以知道功函数,为二者之差。
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3楼
2011-01-08 17:35:13
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liuy1235
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sunxianwen(金币+1): 2011-01-09 16:56:10
也和半导体的类型有关,你可以具体查下刘恩科编的半导体物理学第七章讲得很详细!
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4楼
2011-01-08 17:38:34
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