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pqyz20金虫 (初入文坛)
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问一下半导体电子空穴对复合率和激发光透射率的关系
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如果激发光的光子能量大于半导体的带隙，半导体中有电子空穴激发。电子空穴对复合可分为辐射复合和非辐射复合。现在假设电子空穴的平均寿命为x。复合率就是1/x。 现在我在半导体表面引入一层金属，会有surface plasmon产生。即表面等离子体。电子空穴对复合之后的能量会直接转移到surface plasmon。这相当于电子空穴对有增加了一种复合方式。那么电子空穴对的寿命就会较少。假设现在电子空穴对的寿命为y、那么现在的复合率就是1/y。 我的问题是，同样的激发光（光功率相同）来照射同样厚度的半导体薄膜。一半是只有一层半导体薄膜，一半是覆盖了一层金属层。如果不考虑金属层的反射问题。因为覆盖了一层金属，半导体的复合率增加，通俗来讲电子空穴对吸收激发光的效率增加了。在同样的时间里吸收的光子数增加了，那么在半导体薄膜另外一层测量激发光的强度，覆盖了金属层了半导体透过的激发光的强度比没有覆盖金属的半导体的强度要小，也就是其对激发光的吸收率比单层半导体对激发光吸收 率要大，也就是透射率小。 请各位 看看我这样分析对不对。。。 多谢。。。。 |
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【答案】应助回帖
pqyz20(金币+10): 但是半导体对光的吸收率/光在半导体中的穿透深度和半导体在此波长光照射下的介电常数虚部有关系。那么从我的分析来看，半导体的介电常数虚部和电子空穴对的复合率有关喽。也就是说半导体覆盖了一层金属之后，半导体的介电常数虚部变化了。对不？ 2011-08-19 11:42:59
pqyz20(金币+10): 2011-08-21 09:25:06
pqyz20(金币+10): 2011-08-21 09:25:06
| 按照您前面的介绍，可知：在覆盖了金属层半导体中的电子-空穴对寿命短于没有覆盖金属层的。换句话说，前者的复合率 大于 后者中的复合率。 当光照达到稳定时，前者中单位时间内的吸收的光子数目较大，因而，你的分析应该完全正确。 |
2楼2011-08-19 10:23:05
3楼2011-08-19 22:42:56
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