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phoenixgu

铁杆木虫 (正式写手)

[交流] 【求助】P型半导体的重空穴掺杂已有7人参与

重空穴掺杂的P型半导体,费米能级进入价带顶,有效光学带隙是否是费米能级(低于价带顶)到导带底的能隙?是否还会出现“蓝移”现象?发生这种现象时,
最小空穴浓度和最大空穴浓度分别是多少?
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夕阳西下

金虫 (著名写手)


小木虫(金币+0.5):给个红包,谢谢回帖交流
有效光学带隙应该指的是价带顶与导带底之间的带宽也就是禁带宽度,与费米能及无关。但是掺杂会改变费米能能级位置,同时也会改变禁带宽度的大小。可以参考半导体物理教材,一般情况下,禁带宽度随着掺杂浓度的增加而减少,故会出现蓝移的现象。杂质浓度与禁带宽度的关系可以参考半导体物理书。
2楼2010-07-26 06:29:35
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靳惠莹

木虫 (正式写手)


小木虫(金币+0.5):给个红包,谢谢回帖交流
请看刘恩科的半导体物理
3楼2010-07-26 08:30:26
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cord

铁杆木虫 (著名写手)



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这个是理想状态,实际实验中达不到这种重空玄掺杂状态,最大费米能级可以接近介带顶而不能低于它。
如楼上所说,禁带宽度会因为掺杂浓度的增加而减少在于掺杂导致的杂志浓度的增加,这个变化量很小。一般说,禁带宽度跟费米能级的位置是无关的。
可以参考street的非晶半导体书
4楼2010-07-26 23:37:01
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phoenixgu

铁杆木虫 (正式写手)

现在就我提出的问题进行另外一种表述:
根据Burstein-Moss效应,对N型半导体进行重电子掺杂,费米能级进入导带,光吸收跃迁过程只能在价带态和费米能级附近及以上的导带空态之间发生,有效光学带隙增大,表现为本征光吸收边向短波方向移动(蓝移)。
对P型半导体进行重空穴掺杂,是否可以表述为“费米能级进入价带,光吸收跃迁过程只能在导带态和费米能级附近及以下的价带满态之间发生,有效光学带隙增大,表现为本征光吸收边向短波方向移动(蓝移)。”
上述说法是否正确,敬请指教!
5楼2010-07-27 01:32:03
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夕阳西下

金虫 (著名写手)


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引用回帖:
Originally posted by phoenixgu at 2010-07-27 01:32:03:
现在就我提出的问题进行另外一种表述:
根据Burstein-Moss效应,对N型半导体进行重电子掺杂,费米能级进入导带,光吸收跃迁过程只能在价带态和费米能级附近及以上的导带空态之间发生,有效光学带隙增大,表现为本 ...

不正确。带隙增大怎么会i蓝移呢?
6楼2010-07-27 06:19:45
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phoenixgu

铁杆木虫 (正式写手)

引用回帖:
Originally posted by 夕阳西下 at 2010-07-27 06:19:45:

不正确。带隙增大怎么会i蓝移呢?

带隙增大,本征光吸收边就会向短波方向移动.
7楼2010-07-27 09:55:31
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diamondfire

木虫 (正式写手)


小木虫(金币+0.5):给个红包,谢谢回帖交流
掺得那么重,我觉得可以考虑成在价带顶以下引入了缺陷子能级,光发射是从这些子能级跃迁产生的。
其实不用重空穴掺杂,也会产生一部分蓝移现象。毕竟那个都是统计学的结果,用费米面只能讨论平均。
再烦,也别忘微笑;再急,也要注意语气;再苦,也别忘坚持;再累,也要爱自己。低调做人,你会一次比一次稳健;高调做事,你会一次比一次优秀。
8楼2010-07-27 13:54:51
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zhzhpe123

木虫 (小有名气)


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帯隙增大蓝移
9楼2010-07-27 14:51:13
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王建春198728

金虫 (小有名气)


小木虫: 金币+0.5, 给个红包,谢谢回帖
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9楼: Originally posted by zhzhpe123 at 2010-07-27 14:51:13
帯隙增大蓝移

我想问一下P型掺杂有可能使带隙变大吗?原因是?
成功
10楼2013-08-05 09:11:42
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