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ww666

新虫 (小有名气)

[求助] 光学带隙与禁带宽度 已有2人参与

一直很纠结
请问 光学带隙与禁带宽度的区别是什么?
光学带隙和禁带宽度为什么差别很大?(晶体半导体材料)
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ww666

新虫 (小有名气)


穿越千年: 金币+1, 对该问题的解答有帮助 2014-01-07 09:55:13
看了http://muchong.com/html/200912/1753404.html 这个帖子也觉得cord说的有道理,但是他说p,n型半导体的光学带隙不一样我不认可
2楼2013-12-27 22:37:04
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ww666

新虫 (小有名气)

thin solid film几个人说光学带隙是禁带宽度,激活能,活化能电学是费米能级到导带宽度。
3楼2014-01-06 23:42:21
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key2dream

金虫 (小有名气)

【答案】应助回帖

光学带隙是指通过紫外-可见光谱测透过率计算出来的禁带宽度,跟理论计算导带底和价带顶之间的能量差值(禁带宽度)可能存在一定的误差,但是原则上应该是有对应关系的。
说到掺杂的话,如果掺入的杂质形成的杂质能级位于禁带时,费米能级位置发生改变,一般测量的光学带隙(杂质半导体)就会小于该材料的禁带宽度(本征半导体),如果是浅能级掺杂的话,则光学带隙会远远小于禁带宽度。

相关知识可以看看固体物理或半导体物理的能带理论和半导体的光学性质部分。

以上个人理解,可能表达上或者认知上还有欠缺,仅供参考。
4楼2014-01-07 13:38:08
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zhuzhen

木虫 (正式写手)

【答案】应助回帖

引用回帖:
4楼: Originally posted by key2dream at 2014-01-07 13:38:08
光学带隙是指通过紫外-可见光谱测透过率计算出来的禁带宽度,跟理论计算导带底和价带顶之间的能量差值(禁带宽度)可能存在一定的误差,但是原则上应该是有对应关系的。
说到掺杂的话,如果掺入的杂质形成的杂质能 ...

杂质半导体的光学带隙会大吧,比如n型,导带底全被电子占据,吸收光子后,价带电子只能往更高的地方跑。
5楼2014-01-15 15:04:32
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