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1楼2012-10-23 10:43:06

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鹰羽龙

木虫 (著名写手)

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蒋青松: 金币+1, 鼓励交流 2013-01-18 21:38:22

固体光谱学第一章讲的是折射率和介电常数的关系n=根号epsilon，不知道epsilon和band gap有没有关系

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6楼2012-10-25 19:56:07

baixy2010

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308411554: 金币+2, ★有帮助 2012-10-23 13:00:18

我是一名新手，以下仅为我个人的观点，不是否准确，请各位点评。禁带的宽度与折射应该成反相关的关系，我认为折射率越大进入基体的光子越多，换句话说也就是禁带的宽度减小才能吸收更多的光子。

永不言败

2楼2012-10-23 12:29:43

ranon

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引用回帖:

7楼: Originally posted by 308411554 at 2013-01-17 10:31:49
顶一个，Moss Rule是说的E*n^4=constant E带宽，n折射率

但是我们知道折射率随入射光的波长而改变。这个公式里n应该用那个波长的折射率那？

9楼2013-01-18 16:29:50

ww666

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308411554: 金币+10, ★★★很有帮助 2014-01-05 15:46:45

从数学上来谈下我的看法：
复折射率 n=n'+kj,其中k为消光系数；消光系数k和吸收系数a(v)两者有联系：
a(v)=2*pi*k/波长，其中v为波长。
吸收系数(ahv)^2=A(hv-Eg)（直接跃迁光学带隙Eg）(ahv)^0.5=A(hv-Eg)（间接跃迁光学带隙Eg）

参考 http://muchong.com/html/200811/1047044.html
memser (站内联系TA)

消光系数是无量纲的和折射率一起组成截至的复折射率
N=n+kj,其中n为折射率，k为消光系数,j虚数
消光系数k和吸收系数a(v)不是同一概念，两者有联系：
a(v)=2*pi*k/v
其中v为波长。
我们常说的光学吸收和吸收系数关系如下，算了公式不好输入，给个文献自己看下吧：）
Mei J J, Chen H, Shen W Z and Dekkers H F W 2006 Optical
properties and local bonding configurations of
hydrogenated amorphous silicon nitride thin films J. Appl.
Phys. 100 073516
或者http://www.iop.org/EJ/abstract/0960-1317/18/8/085001

15楼2013-12-30 14:37:40

ww666

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mjx150: 欢迎到本版交流 2014-03-17 10:45:30

消光系数k和吸收系数a(v)两者有联系：
a(v)=2*pi*k/波长不考虑反射

16楼2013-12-30 15:11:56

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starvyes

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蒋青松: 金币+1, 鼓励交流 2012-10-24 07:46:44
308411554: 金币+2, ★有帮助 2012-10-24 07:59:04

个人薄见：禁带宽度是基于半导体原子导带价带的带隙而言，表示能带跃迁的范围，和激发能量相关，禁带宽度小，激发半导体所需要的能力也会减小。折射率和物体透光性有关，也与半导体电磁性质有关，与原子成键反键轨道有没有孤对电子相关。这两者之间没有太多相关联性。

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Quartierdesfleurs,àFacerésiduellerire,rirelesgensducommun.

3楼2012-10-23 15:10:45

308411554

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引用回帖:

3楼: Originally posted by starvyes at 2012-10-23 15:10:45
个人薄见：禁带宽度是基于半导体原子导带价带的带隙而言，表示能带跃迁的范围，和激发能量相关，禁带宽度小，激发半导体所需要的能力也会减小。折射率和物体透光性有关，也与半导体电磁性质有关，与原子成键反键轨道 ...

通过实验手段，我测得折射率和带宽有反比的关系。
同时我也看到有相关文献报道，Eg*n^4=常数。
但仍然困惑如何解释。

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4楼2012-10-24 08:04:03