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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 材料区 » 功能材料 » 光学材料 » 半导体折射率与禁带宽度的关系
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liaoyp981

新虫 (初入文坛)
引用回帖:
10楼: Originally posted by ranon at 2013-01-18 16:32:34
我也看到了这种说法。而且还有根据这个公式的改进型.文献如下:
Infrared Physics & Technology, Volume 50, Issue 1, March 2007, Pages 21-29...

你好 可不可以分享一下那片文章
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11楼2013-03-21 19:00:09
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双子座阿甘

金虫 (正式写手)
引用回帖:
9楼: Originally posted by ranon at 2013-01-18 16:29:50
但是我们知道折射率随入射光的波长而改变。这个公式里n应该用那个波长的折射率那？...

严格来说，n是随着波长的变化而变化的，同样一种材料，在不同波长下，他的折射率是不同的
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12楼2013-03-22 10:49:25
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wkfan8988

禁虫 (小有名气)
本帖内容被屏蔽
13楼2013-07-25 08:09:09
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1017760933

银虫 (正式写手)
引用回帖:
6楼: Originally posted by 鹰羽龙 at 2012-10-25 19:56:07
固体光谱学第一章讲的是折射率和介电常数的关系n=根号epsilon，不知道epsilon和band gap有没有关系

介个关系应该是适用于PLZT等电光晶体，半导体不知道是否适用哦。
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14楼2013-07-26 16:01:26
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ww666

新虫 (小有名气)

【答案】应助回帖

★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★
308411554: 金币+10, ★★★很有帮助 2014-01-05 15:46:45
从数学上来谈下我的看法：
复折射率 n=n'+kj,其中k为消光系数；消光系数k和吸收系数a(v)两者有联系：
a(v)=2*pi*k/波长，其中v为波长。
吸收系数(ahv)^2=A(hv-Eg)（直接跃迁光学带隙Eg）(ahv)^0.5=A(hv-Eg)（间接跃迁光学带隙Eg）




参考 http://muchong.com/html/200811/1047044.html
memser (站内联系TA)

消光系数是无量纲的和折射率一起组成截至的复折射率
N=n+kj,其中n为折射率，k为消光系数,j虚数
消光系数k和吸收系数a(v)不是同一概念，两者有联系：
a(v)=2*pi*k/v
其中v为波长。
我们常说的光学吸收和吸收系数关系如下，算了公式不好输入，给个文献自己看下吧：）
Mei J J, Chen H, Shen W Z and Dekkers H F W 2006 Optical
properties and local bonding configurations of
hydrogenated amorphous silicon nitride thin films J. Appl.
Phys. 100 073516
或者http://www.iop.org/EJ/abstract/0960-1317/18/8/085001
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15楼2013-12-30 14:37:40
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ww666

新虫 (小有名气)
mjx150: 欢迎到本版交流 2014-03-17 10:45:30
消光系数k和吸收系数a(v)两者有联系：
a(v)=2*pi*k/波长 不考虑反射
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16楼2013-12-30 15:11:56
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Breeze_liang

新虫 (正式写手)
能不能问下，要是不同的电子注入浓度下，折射率的情况呢？有没有固定的关系式，对于某种半导体材料来说
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17楼2014-03-16 17:40:46
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421562339

新虫 (小有名气)
禁带宽度应该是半导体的本征性能吧
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激光、阳光、光伏、光电
18楼2014-03-17 10:44:39
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ww666

新虫 (小有名气)
引用回帖:
17楼: Originally posted by Breeze_liang at 2014-03-16 17:40:46
能不能问下，要是不同的电子注入浓度下，折射率的情况呢？有没有固定的关系式，对于某种半导体材料来说

电子注入可能会改变介电常数，电子加入改变了原子微电场，改变了共振频率；磁导率，原因可能根据不相容和能量最低原则推敲，肯定会发生磁畴再谐调，从而引起饱和磁感应强度Bs、剩余磁感应强度Br、矫顽力Hc等的改变，最终改变磁导率。μ 为介质的导磁率，ε 为介质的介电常数，n=sqrt（με）估计能通过该公式粗略联系起电子注入浓度深度与折射率？
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19楼2014-04-09 11:06:53
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