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光电流,光电压等与半导体禁带宽度值的关系
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gg9075
至尊木虫
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[交流]
光电流,光电压等与半导体禁带宽度值的关系
RT,根据光电方程E=hυ=hc/λ,文献上报道带隙较大的量子点因其有限的光子吸收率,能输出较大的电压但光电流较小;带隙较小的量子点能吸收较多的光子进而产生较大的光电流。且带隙较大的量子点能过滤掉小波长的光子,进而防止其进入带隙较小的量子点薄膜层。
如何理解带隙较大的量子点能产生较大光电压的问题,我是学物理的,电压与电势有关,也就是说与二段电荷的聚集多少有关,从这个角度看的话,应该是电压不会很大。有点疑问,大家有何高见。
除此之外还有没有其他的理解方式?我看到过一篇论文从其他角度解释的,无奈现在找不到了。谢谢大家看此贴并进行交流。
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zjxzjx
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1楼
2011-04-20 09:16:26
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wukong6170
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+1
):谢谢参与
帮顶,我是做电池的,可以看看硅电池的资料开路电压和禁带宽度的关系
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2楼
2011-04-20 23:17:02
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gg9075
至尊木虫
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找到了那篇文献,自己先回个贴,那些有困惑的同道中人可以看看。较大的量子点因其有限的光子吸收率,能输出较大的电压但光电流较小;带隙较小的量子点能吸收较多的光子进而产生较大的光电流。且带隙较大的量子点能过滤掉小波长的光子,进而防止其进入带隙较小的量子点薄膜层。还有一种解释是小的量子点能以更快的速度将光子转换为电子, 而大的量子点则可以吸收更多的入射光子。这二种说法都是正确的。认真理解一下就知道其中的道理。
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3楼
2011-04-29 08:52:37
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lllltt
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):给个红包,谢谢回帖
能否把那篇文献传上来看看,
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2011-04-29 09:55:21
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):给个红包,谢谢回帖
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3楼
:
Originally posted by
gg9075
at 2011-04-29 08:52:37:
找到了那篇文献,自己先回个贴,那些有困惑的同道中人可以看看。较大的量子点因其有限的光子吸收率,能输出较大的电压但光电流较小;带隙较小的量子点能吸收较多的光子进而产生较大的光电流。且带隙较大的量子点能 ...
把文献传上来看看啊。我需要
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2012-02-16 16:44:13
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):给个红包,谢谢回帖
送鲜花一朵
若可以资源共享,真是感激不尽
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2012-02-22 18:25:48
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小木虫: 金币+0.5, 给个红包,谢谢回帖
我也想看一看哦!谢谢了!
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7楼
2012-11-14 10:54:11
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wangdanyu
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2013-04-02 12:53:22
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gg9075
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lllltt
at 2011-04-29 09:55:21
能否把那篇文献传上来看看,
http://news.sciencenet.cn/htmlpaper/20083181453513771476.html
,论文找到了,但我下不了,你看你能不能下
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9楼
2014-08-13 11:13:18
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gg9075
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5楼
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zxykycg2010
at 2012-02-16 16:44:13
把文献传上来看看啊。我需要
...
http://news.sciencenet.cn/htmlpaper/20083181453513771476.html
,论文找到了,但我下不了,你看你能不能下
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10楼
2014-08-13 11:13:24
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gg9075
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wangdanyu
at 2013-04-02 12:53:22
需要!
http://news.sciencenet.cn/htmlpaper/20083181453513771476.html
,论文找到了,但我下不了,你看你能不能下
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11楼
2014-08-13 11:13:32
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hufu08
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小木虫: 金币+0.5, 给个红包,谢谢回帖
光电压实际就是光电子的电势。光照使电子从价带顶跃迁至导带底,提高的电势就是光电压。所以带隙宽,自然就会电压大。同时带隙宽需要更高能量的光子来激发电子,一般情况下概率低,载流子少,电流小。
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12楼
2014-08-14 16:42:21
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