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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 材料区 » 微米和纳米 » 学术讨论 » 光电流，光电压等与半导体禁带宽度值的关系
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gg9075

至尊木虫 (著名写手)

[交流] 光电流，光电压等与半导体禁带宽度值的关系

RT，根据光电方程E=hυ=hc/λ，文献上报道带隙较大的量子点因其有限的光子吸收率，能输出较大的电压但光电流较小；带隙较小的量子点能吸收较多的光子进而产生较大的光电流。且带隙较大的量子点能过滤掉小波长的光子，进而防止其进入带隙较小的量子点薄膜层。
   
    如何理解带隙较大的量子点能产生较大光电压的问题，我是学物理的，电压与电势有关，也就是说与二段电荷的聚集多少有关，从这个角度看的话，应该是电压不会很大。有点疑问，大家有何高见。

    除此之外还有没有其他的理解方式？我看到过一篇论文从其他角度解释的，无奈现在找不到了。谢谢大家看此贴并进行交流。
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1楼 2011-04-20 09:16:26
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hufu08

铁虫 (初入文坛)
★
小木虫: 金币+0.5, 给个红包，谢谢回帖
光电压实际就是光电子的电势。光照使电子从价带顶跃迁至导带底，提高的电势就是光电压。所以带隙宽，自然就会电压大。同时带隙宽需要更高能量的光子来激发电子，一般情况下概率低，载流子少，电流小。
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12楼2014-08-14 16:42:21
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