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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 材料区 » 功能材料 » 基础研究 » 【求助】P型半导体的重空穴掺杂
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phoenixgu

铁杆木虫 (正式写手)

[交流] 【求助】P型半导体的重空穴掺杂已有7人参与

重空穴掺杂的P型半导体，费米能级进入价带顶，有效光学带隙是否是费米能级（低于价带顶）到导带底的能隙？是否还会出现“蓝移”现象？发生这种现象时，
最小空穴浓度和最大空穴浓度分别是多少？
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1楼2010-07-26 01:49:47
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phoenixgu

铁杆木虫 (正式写手)
现在就我提出的问题进行另外一种表述：
根据Burstein-Moss效应，对N型半导体进行重电子掺杂，费米能级进入导带，光吸收跃迁过程只能在价带态和费米能级附近及以上的导带空态之间发生，有效光学带隙增大，表现为本征光吸收边向短波方向移动（蓝移）。
对P型半导体进行重空穴掺杂，是否可以表述为“费米能级进入价带，光吸收跃迁过程只能在导带态和费米能级附近及以下的价带满态之间发生，有效光学带隙增大，表现为本征光吸收边向短波方向移动（蓝移）。”
上述说法是否正确，敬请指教！
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5楼2010-07-27 01:32:03
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phoenixgu

铁杆木虫 (正式写手)
引用回帖:
Originally posted by 夕阳西下 at 2010-07-27 06:19:45:

不正确。带隙增大怎么会i蓝移呢？

带隙增大,本征光吸收边就会向短波方向移动.
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7楼2010-07-27 09:55:31
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