| 查看: 5513 | 回复: 24 | ||
[求助]
半导体掺杂后的带隙如何看，求教
|
||
|
各位大侠 我想知道半导体低浓度掺杂后 （大概0.03%），在费米能级处出现杂质能带 这个时候 我对它的带隙该如何判断呢？ 我想知道这种掺杂对带隙的影响 谢谢 |
回复此楼» 猜你喜欢
313求调剂
已经有4人回复
-
材料调剂
已经有13人回复
-
材料专硕283求调剂
已经有13人回复
-
295求调剂
已经有7人回复
-
266分，一志愿电气工程，本科材料，求材料专业调剂
已经有7人回复
-
307分材料专业求调剂
已经有5人回复
-
一志愿北交大材料工程总分358求调剂
已经有5人回复
-
求调剂
已经有4人回复
-
材料与化工371求调剂
已经有11人回复
-
材料求调剂
已经有4人回复
» 本主题相关价值贴推荐，对您同样有帮助:
- 如何判断半导体是本征带隙发光还是表面态发光？
已经有13人回复
- 如何判断杂质能级
已经有11人回复
- 直接带隙半导体比间接带隙半导体的光致发光谱是不是要明显？如果是有没有相关文献？
已经有6人回复
- 掺杂石墨烯是直接带隙还是间接带隙半导体？
已经有4人回复
- 请问光催化金属沉积、掺杂和半导体复合的缺点分别是什么？
已经有14人回复
- 不等价掺杂半导体的间隙态会“停在"哪个原子上？
已经有14人回复
- 关于半导体的光学带隙Eopt和能级带隙Eg
已经有3人回复
- 间接带隙半导体吸收光谱特点
已经有4人回复
- vasp计算的半导体结构，bands带隙比dos里面的大，何故？
已经有33人回复
- 半导体价带顶和能带间隙计算？
已经有10人回复
- 稀土掺杂二氧化钛光催化能力的问题？
已经有4人回复
- 求助关于ZnS是否是n-型半导体
已经有8人回复
- 半导体磁性掺杂
已经有3人回复
- 深——浅能级与施——受主概念辨析
已经有4人回复
- 【求助】请问如何计算掺杂后半导体材料的能隙和导带电势？
已经有4人回复
- 【求助】掺杂后带隙的问题
已经有28人回复
- 如何利用紫外可见漫反射光谱数据计算半导体的带隙能？
已经有12人回复
- 【求助】P型半导体的重空穴掺杂
已经有9人回复
- 【求助】castep计算半导体掺杂后费米能级进入导带
已经有10人回复
- 【求助】如何判断掺杂元素在半导体中是施主还是受主？
已经有6人回复
- 【交流】测量半导体薄膜的带隙
已经有21人回复
- 【求助】请问为什么GaAs掺杂Al会从直接带隙变为间接
已经有12人回复
8楼2013-05-06 09:50:13
171713294
木虫 (正式写手)
- 应助: 85 (初中生)
- 金币: 4646.4
- 散金: 76
- 红花: 13
- 帖子: 864
- 在线: 350.5小时
- 虫号: 1425488
- 注册: 2011-10-02
- 性别: GG
- 专业: 凝聚态物性 II ：电子结构
2楼2013-05-05 09:08:00
pengliusss
木虫 (小有名气)
- 应助: 1 (幼儿园)
- 金币: 1901.4
- 散金: 1
- 红花: 1
- 帖子: 245
- 在线: 99.2小时
- 虫号: 1979789
- 注册: 2012-09-06
- 专业: 半导体晶体与薄膜材料
3楼2013-05-05 09:15:03
4楼2013-05-05 10:06:36
5楼2013-05-05 10:13:58
6楼2013-05-05 22:44:03
ApolloYang
木虫 (正式写手)
- 应助: 15 (小学生)
- 金币: 2209.6
- 散金: 114
- 红花: 4
- 帖子: 390
- 在线: 236.9小时
- 虫号: 582657
- 注册: 2008-07-25
- 性别: GG
- 专业: 凝聚态物性 II ：电子结构
7楼2013-05-06 09:13:40
gaolugang
木虫 (小有名气)
- 应助: 12 (小学生)
- 金币: 1680.4
- 帖子: 132
- 在线: 65.1小时
- 虫号: 250274
- 注册: 2006-05-13
- 性别: GG
- 专业: 电力电子学
9楼2013-05-07 02:59:05
张宇琴
银虫 (小有名气)
- 应助: 2 (幼儿园)
- 金币: 106.6
- 散金: 3
- 帖子: 59
- 在线: 65.1小时
- 虫号: 2083455
- 注册: 2012-10-24
- 性别: MM
- 专业: 凝聚态物性 II ：电子结构
【答案】应助回帖
★ ★
感谢参与，应助指数 +1
lzlgcdc: 金币+2, ★★★很有帮助, 谢谢大侠 2013-05-07 09:42:56
感谢参与，应助指数 +1
lzlgcdc: 金币+2, ★★★很有帮助, 谢谢大侠 2013-05-07 09:42:56
|
带隙是导带底-价带顶，这个在计算的时候能带结构图会给出，还有就是上面有同学说的费米能级的移动，体材料时费米能级在带隙中，但是掺杂后费米能级可能移动到导带，导带电子数目增多，导电性就会增强。估计是这样吧！ 下面我想问一下，关于半导体掺杂的问题： 1、掺杂浓度的确定是通过超晶胞确定的，如果替换某原子，就用替换个数比此原子总数，得出浓度。是吗？那这个千分之三要好大的一个晶胞，我的计算机算到2*2*2就老出错，不知您是怎么解决的。 2、掺杂半导体计算时，对话框中选择的metal，是吗？优化过程中是先优化1*1*1，再扩展为2*2*2，还是直接优化2*2*2？ 3、由于第一性原理的的计算时基于周期性边界条件的，掺杂要保证满足初始条件必须建立超晶胞，那掺杂离子该放在什么位置？一般情况下大多放在中心，有些文献尝试过不同位置的双掺杂，用的是不同位置，我照着人家的做会出错，无法进行，是模型不合理吗？怎样判断其合理性？ |
10楼2013-05-07 09:15:12
