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半导体掺杂后的带隙如何看,求教
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半导体掺杂后的带隙如何看,求教
各位大侠 我想知道半导体低浓度掺杂后 (大概0.03%),在费米能级处出现杂质能带 这个时候 我对它的带隙该如何判断呢? 我想知道这种掺杂对带隙的影响
谢谢
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1楼
2013-05-05 00:39:17
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2楼
:
Originally posted by
171713294
at 2013-05-05 09:08:00
首先你的把你的band贴出来,让大家给你看看哇
大侠图片是这样的
i.jpg
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4楼
2013-05-05 10:06:36
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很有帮助, 谢谢大侠
2013-05-05 10:08:49
franch: 金币+2, 谢谢回帖交流,,
2013-05-06 22:04:50
首先你的把你的band贴出来,让大家给你看看哇
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2楼
2013-05-05 09:08:00
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2013-05-05 22:42:07
franch: 金币+2, 谢谢回帖交流,,
2013-05-06 22:05:00
引用回帖:
4楼
:
Originally posted by
lzlgcdc
at 2013-05-05 10:06:36
大侠图片是这样的
i.jpg
...
能带穿过了Fermi能级(如果费米能级是在0eV的位置),如果不是smear过头了,那就是掺杂后成了导体了,没有带隙一说了。
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5楼
2013-05-05 10:13:58
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5楼
:
Originally posted by
DFPT
at 2013-05-05 10:13:58
能带穿过了Fermi能级(如果费米能级是在0eV的位置),如果不是smear过头了,那就是掺杂后成了导体了,没有带隙一说了。...
“如果不是smear过头了,那就是掺杂后成了导体了” 大侠这句话什么意思 这个不需要看价带顶和导带底的位置了吗
大侠这个是用vasp做能带的小程序做的 它是默认0为费米能级吧
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6楼
2013-05-05 22:44:03
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