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界首人家

木虫 (小有名气)

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[求助] 如何利用紫外可见漫反射光谱数据计算半导体的带隙能？

之前在论坛上看了许多关于计算半导体能带的帖子，但是都不是很详细，我一直都不太明白这个计算方法，尤其是（Ahv)2 vs hv中A到底是什么，怎么算的，还有的是用F（R）表示，这又是什么，很想搞清楚，请哪位高手帮忙解决一下？支持一下后进的师弟吧。

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1楼2011-03-23 20:15:36

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hzywzq

金虫 (正式写手)

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【答案】应助回帖

界首人家(金币+3): 2011-06-30 07:59:38
界首人家(金币+3): 2011-07-01 19:52:40
界首人家(金币+7): 2011-07-14 18:35:39

方法1：利用紫外可见漫反射测量中的吸光度与波长数据作图，利用截线法做出吸收波长阈值λg(nm)，
利用公式 Eg=1240/λg (eV) 计算禁带宽度。
方法2：利用(Ahν)2 对 hν 做图，利用直线部分外推至横坐标交点，即为禁带宽度值。也可利用(Ahν)0.5
对 hν 做图，利用直线部分外推至横坐标交点，即为禁带宽度值。前者为间接半导体禁带宽度值，后者为直
接半导体禁带宽度值。A (Absorbance) 即为紫外可见漫反射中的吸光度。
方法3：利用(αhν)2 对 hν 做图，利用直线部分外推至横坐标交点，即为禁带宽度值。也可利用(αhν)0.5
对 hν 做图，利用直线部分外推至横坐标交点，即为禁带宽度值。前者为间接半导体禁带宽度值，后者为
直接半导体禁带宽度值。α (Absorption Coefficient ) 即为紫外可见漫反射中的吸收系数。α与A成正比。
方法4：利用[F(R∞)hν]2 对 hν 做图，利用直线部分外推至横坐标交点，即为禁带宽度值。也可利用
[F(R∞)hν]0.5 对 hν 做图，利用直线部分外推至横坐标交点，即为禁带宽度值。前者为间接半导体禁带宽度
值，后者为直接半导体禁带宽度值。